RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 7, страницы 597–600 (Mi qe16208)  

Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Лазеры

Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров

Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, В. А. Капитонов, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Экспериментально исследованы мощностные характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии, в зависимости от длины резонатора, ширины полоскового контакта и коэффициентов отражения зеркал. Показано, что при высоких уровнях токовой накачки вариации параметров резонатора полупроводникового лазера (ширина, длина и коэффициенты отражения зеркал) оказывают воздействие на насыщение ватт-амперной характеристики (ВтАХ) и максимальную оптическую мощность через влияние на такие характеристики лазера, как плотность тока и оптические потери на выход. Построена модель и проведены расчеты оптической мощности полупроводниковых лазеров с учетом зависимости внутренних оптических потерь от плотности тока накачки, распределения концентраций носителей заряда и фотонов вдоль оси резонатора. Установлено, что только введение в расчетную модель зависимости внутренних оптических потерь от плотности тока накачки обеспечивает хорошее согласие экспериментальных и расчетных ВтАХ для всех вариантов изменения параметров лазерного резонатора.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, внутренние оптические потери, импульсная накачка, лазерный резонатор.
Автор для корреспонденции

Полный текст: PDF файл (450 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2015, 45:7, 597–600

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.60.Lh
Поступила в редакцию: 29.12.2014

Образец цитирования: Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, В. А. Капитонов, И. С. Тарасов, “Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров”, Квантовая электроника, 45:7 (2015), 597–600 [Quantum Electron., 45:7 (2015), 597–600]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe16208
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v45/i7/p597

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов, Квантовая электроника, 45:7 (2015), 604–606  mathnet  elib; Quantum Electron., 45:7 (2015), 604–606  crossref  isi
    2. Veselov D.A. Shashkin I.S. Bobretsova Yu.K. Bakhvalov K.V. Lutetskiy A.V. Kapitonov V.A. Pikhtin N.A. Slipchenko S.O. Sokolova Z.N. Tarasov I.S., Semiconductors, 50:10 (2016), 1396–1402  crossref  isi  elib  scopus
    3. E. A. Avrutin, B. S. Ryvkin, Semicond. Sci. Technol., 32:1 (2017), 015004  crossref  isi  scopus
    4. Z. N. Sokolova, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, Semiconductors, 51:7 (2017), 959–964  crossref  isi  scopus
    5. D. A. Veselov, K. R. Ayusheva, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, I. S. Tarasov, J. Appl. Phys., 121:16 (2017), 163101  crossref  isi  scopus
    6. J. Piprek, Zh.-M. Li, IEEE Photonics Technol. Lett., 30:10 (2018), 963–966  crossref  isi  scopus
    7. Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, Н. В. Воронкова, С. О. Слипченко, В. А. Стрелец, М. В. Богданович, П. В. Шпак, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, Квантовая электроника, 49:5 (2019), 488–492  mathnet; Quantum Electron., 49:5 (2019), 488–492  crossref  isi  elib
    8. Gavrina P.S. Podoskin A.A. Romanovich D.N. Golovin V.S. Veselov D.A. Slipchenko S.O. Pikhtin N.A. Bagaev T.A. Ladugin M.A. Marmalyuk A.A. Simakov V.A., Semicond. Sci. Technol., 34:6 (2019), 065025  crossref  isi
    9. Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, Л. С. Вавилова, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Квантовая электроника, 49:7 (2019), 661–665  mathnet; Quantum Electron., 49:7 (2019), 661–665  crossref  isi  elib
    10. В. С. Головин, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьёв, Квантовая электроника, 50:2 (2020), 147–152  mathnet; Quantum Electron., 50:2 (2020), 147–152  crossref  isi  elib
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:322
    Полный текст:111
    Литература:32
    Первая стр.:22
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020