RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 7, страницы 604–606 (Mi qe16211)  

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Лазеры

Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера

Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предложена методика исследования коэффициента поглощения в слоях полупроводниковых лазеров. В лазерах на основе гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии проведено исследование коэффициента поглощения при импульсной токовой накачке. Установлено, что при протекании тока накачки через исследуемый лазер в слоях гетероструктуры возникает дополнительное внутреннее оптическое поглощение. Показано, что с увеличением плотности тока накачки до 20 кА/см2 связанное с ним поглощение возрастает до 2.5 см-1. Продемонстрирована возможность исследования поглощения на свободных носителях заряда в активной области.

Ключевые слова: коэффициент поглощения, полупроводниковый лазер, внутренние оптические потери, импульсная накачка.
Автор для корреспонденции

Полный текст: PDF файл (501 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2015, 45:7, 604–606

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 78.66.-w
Поступила в редакцию: 11.02.2015

Образец цитирования: Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов, “Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 45:7 (2015), 604–606 [Quantum Electron., 45:7 (2015), 604–606]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe16211
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v45/i7/p604

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Д. А. Веселов, К. Р. Аюшева, И. С. Шашкин, К. В. Бахвалов, В. В. Васильева, Л. С. Вавилова, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Квантовая электроника, 45:10 (2015), 879–883  mathnet  elib; Quantum Electron., 45:10 (2015), 879–883  crossref  isi
    2. Veselov D.A., Shashkin I.S., Bobretsova Yu.K., Bakhvalov K.V., Lutetskiy A.V., Kapitonov V.A., Pikhtin N.A., Slipchenko S.O., Sokolova Z.N., Tarasov I.S., Semiconductors, 50:10 (2016), 1396–1402  crossref  isi  elib  scopus
    3. Slipchenko S.O., Podoskin A.A., Soboleva O.S., Pikhtin N.A., Bagaev T.A., Ladugin M.A., Marmalyuk A.A., Simakov V.A., Tarasov IL'Ya S., Opt. Express, 24:15 (2016), 16500–16511  crossref  isi  elib  scopus
    4. Z. N. Sokolova, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, Semiconductors, 51:7 (2017), 959–964  crossref  isi  scopus
    5. D. A. Veselov, K. R. Ayusheva, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, I. S. Tarasov, J. Appl. Phys., 121:16 (2017), 163101  crossref  isi  scopus
    6. Gavrina P.S., Soboleva O.S., Podoskin A.A., Romanovich D.N., Golovin V.S., Slipchenko S.O., Pikhtin N.A., Bagaev T.A., Ladugin M.A., Marmalyuk A.A., Simakov V.A., Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 374–378  crossref  isi
    7. В. В. Шамахов, Д. Н. Николаев, В. С. Головин, Д. А. Веселов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Квантовая электроника, 49:12 (2019), 1172–1174  mathnet; Quantum Electron., 49:12 (2019), 1172–1174  crossref  isi  elib
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:257
    Полный текст:86
    Литература:21
    Первая стр.:9
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020