RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 3, страницы 212–215 (Mi qe16579)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Экстремальное лазерное излучение: физика и фундаментальные приложения

Поперечное ускорение электронов в поле терагерцевого излучения. Терагерцевый синхротрон

М. Ю. Романовскийab

a Московский технологический университет
b Федеральное агентство научных организаций

Аннотация: Исследуется поперечное ускорение электрона, вводимого в терагерцевый импульс вдоль направления волнового вектора электромагнитного поля, в присутствии внешнего постоянного магнитного поля. Оцениваются возможное приращение энергии электрона, а также длина ускорения и угол поворота электрона на выходе из импульса. Предполагаемым применением развитой схемы ускорения (помимо самого ускорителя электронов) является терагерцевый синхротрон, возможные параметры которого также оцениваются.

Ключевые слова: поперечное ускорение электронов, терагерцевый импульс, терагерцевый синхротрон.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
Работа выполнена при поддержке Программы Президиума РАН “Экстремальное лазерное излучение: физика и фундаментальные приложения”.


Полный текст: PDF файл (395 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2017, 47:3, 212–215

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 13.01.2017

Образец цитирования: М. Ю. Романовский, “Поперечное ускорение электронов в поле терагерцевого излучения. Терагерцевый синхротрон”, Квантовая электроника, 47:3 (2017), 212–215 [Quantum Electron., 47:3 (2017), 212–215]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe16579
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v47/i3/p212

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Salamin Y.I., Phys. Lett. A, 381:35 (2017), 3010–3013  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:144
    Полный текст:17
    Литература:19
    Первая стр.:11
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020