RUS  ENG JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB
General information
Latest issue
Archive
Impact factor
Guidelines for authors

Search papers
Search references

RSS
Latest issue
Current issues
Archive issues
What is RSS



Kvantovaya Elektronika:
Year:
Volume:
Issue:
Page:
Find






Personal entry:
Login:
Password:
Save password
Enter
Forgotten password?
Register


Kvantovaya Elektronika, 2017, Volume 47, Number 4, Pages 303–307 (Mi qe16597)  

This article is cited in 17 scientific papers (total in 17 papers)

Lasers

Repetitively pulsed Fe : ZnSe laser with an average output power of 20 W at room temperature of the polycrystalline active element

S. D. Velikanova, E. M. Gavrishchukb, N. A. Zaretskiya, A. V. Zakhryapaa, V. B. Ikonnikovb, S. Yu. Kazantsevc, I. G. Kononovc, A. A. Maneshkina, D. A. Mashkovskiic, E. V. Saltykova, K. N. Firsovc, R. S. Chuvatkina, I. M. Yutkina

a Federal State Unitary Enterprise "Russian Federal Nuclear Center — All-Russian Research Institute of Experimental Physics", Sarov, Nizhny Novgorod region
b Institute of Chemistry of High-Purity Substances RAS, Nizhnii Novgorod
c A.M. Prokhorov General Physics Institute Russian Academy of Sciences, Moscow

Abstract: The energy and spectral-temporal characteristics of a Fe : ZnSe laser operating in pulsed and repetitively pulsed regimes are studied at room temperature of the polycrystalline active element. The crystal was pumped by a nonchain electric-discharge HF laser. The energy of the Fe : ZnSe laser in a single-pulse regime was 1.67 J at the slope efficiency with respect to the absorbed and incident energy of ~43% and ~27%, respectively. In a repetitively pulsed regime with a pulse repetition rate of 20 Hz and an efficiency with respect to the absorbed power of ~40%, the average laser power was ~20 W with an individual pulse energy of ~1 J. The possibility of increasing the average power of the repetitively pulsed Fe : ZnSe laser at room temperature is discussed.

Keywords: Fe : ZnSe laser, polycrystal, room temperature, repetitively pulsed regime, electric-discharge HF laser, average output power.

Funding Agency Grant Number
Russian Science Foundation 15-13-10028
Russian Foundation for Basic Research 15-02-06005
15-08-02562

Author to whom correspondence should be addressed

Full text: PDF file (944 kB)
References: PDF file   HTML file

English version:
Quantum Electronics, 2017, 47:4, 303–307

Bibliographic databases:

Received: 16.02.2017

Citation: S. D. Velikanov, E. M. Gavrishchuk, N. A. Zaretskiy, A. V. Zakhryapa, V. B. Ikonnikov, S. Yu. Kazantsev, I. G. Kononov, A. A. Maneshkin, D. A. Mashkovskii, E. V. Saltykov, K. N. Firsov, R. S. Chuvatkin, I. M. Yutkin, “Repetitively pulsed Fe : ZnSe laser with an average output power of 20 W at room temperature of the polycrystalline active element”, Kvantovaya Elektronika, 47:4 (2017), 303–307 [Quantum Electron., 47:4 (2017), 303–307]

Linking options:
  • http://mi.mathnet.ru/eng/qe16597
  • http://mi.mathnet.ru/eng/qe/v47/i4/p303

    SHARE: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    This publication is cited in the following articles:
    1. M. P. Frolov, Yu. V. Korostelin, V. I. Kozlovsky, Yu. P. Podmar'kov, Ya. K. Skasyrsky, Opt. Lett., 43:3 (2018), 623–626  crossref  isi
    2. E. Gavrishchuk, M. Zykova, E. Mozhevitina, R. Avetisov, V. Ikonnikov, D. Savin, S. Rodin, K. Firsov, S. Kazantsev, I. Kononov, I. Avetissov, Phys. Status Solidi A-Appl. Mat., 215:4, SI (2018), 1700457  crossref  isi
    3. K. N. Firsov, E. M. Gavrishchuk, V. B. Ikonnikov, S. Yu. Kazantsev, I. G. Kononov, T. V. Kotereva, D. V. Savin, N. A. Timofeeva, Phys. Wave Phenom., 26:1 (2018), 41–46  crossref  isi
    4. I. R. Avetisov, S. S. Balabanov, K. N. Firsov, E. M. Gavrishchuk, A. A. Gladilin, V. B. Ikonnikov, V. P. Kalinushkin, S. Yu. Kazantsev, I. G. Kononov, M. P. Zykova, E. N. Mozhevitina, V. A. Khomyakov, V. D. Savin, N. A. Timofeeva, V. O. Uvarov, I. Ch. Avetissov, J. Cryst. Growth, 491 (2018), 36–41  crossref  isi
    5. I. S. Kurchatov, E. F. Kustov, Semiconductors, 52:7 (2018), 821–827  crossref  isi
    6. E. E. Alekseev, S. Yu. Kazantsev, I. G. Kononov, V. E. Rogalin, K. N. Firsov, Opt. Spectrosc., 124:6 (2018), 821–825  crossref  isi
    7. A. A. Belevtsev, K. N. Firsov, S. Yu. Kazantsev, I. G. Kononov, S. V. Podlesnykh, J. Phys. D-Appl. Phys., 51:38 (2018), 384003  crossref  isi  scopus
    8. S. B. Mirov, I. S. Moskalev, S. Vasilyev, V. Smolski, V. V. Fedorov, D. Martyshkin, J. Peppers, M. Mirov, A. Dergachev, V. Gapontsev, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 24:5 (2018), 1601829  crossref  isi  scopus
    9. V A. Pushkin, E. A. Migal, H. Uehara, K. Goya, S. Tokita, M. P. Frolov, V Yu. Korostelin, I V. Kozlovsky, Ya. K. Skasyrsky, V F. Potemkin, Opt. Lett., 43:24 (2018), 5941–5944  crossref  isi  scopus
    10. S. S. Balabanov, K. N. Firsov, E. M. Gavrishchuk, V. B. Ikonnikov, S. Yu. Kazantsev, I. G. Kononov, V. Kotereva, V. D. Savin, N. A. Timofeeva, Laser Phys. Lett., 15:4 (2018), 045806  crossref  isi  scopus
    11. Tao M. Shen Ya. Zhu F. Huang Ch. Ma L. Chen H. Luan K. Huang K. Feng G. Ye X., Laser Phys., 29:3 (2019), 035001  crossref  isi  scopus
    12. Balabanov S.S. Firsov K.N. Gavrishchuk E.M. Ikonnikov V.B. Kononov I.G. Kurashkin V S. Podlesnykh V S. Savin V D. Sirotkin A.A., Laser Phys. Lett., 16:5 (2019), 055004  crossref  isi
    13. Frolov M.P. Korostelin Yu.V. Kozlovsky V.I. Skasyrsky Ya.K., Laser Phys., 29:8 (2019), 085004  crossref  isi
    14. Balabanov S.S., Gavrishchuk E.M., Gladilin A.A., Ikonnikov V.B., Il'ichev N.N., Kalinushkin V.P., Mironov S.A., Savin D.V., Studenikin M.I., Timofeeva N.A., Uvarov O.V., Chapnin V.A., Inorg. Mater., 55:5 (2019), 423–431  crossref  isi
    15. Ning Sh. Feng G. Zhang H. Zhang W. Dai Sh. Zhou Sh., Opt. Mater., 89 (2019), 473–479  crossref  isi
    16. Pan Q., Xie J., Wang Ch., He Ya., Yu D., Zhang K., Chen F., Proceedings of Spie, 11046, ed. Zhao Y., Spie-Int Soc Optical Engineering, 2019, 110462A  crossref  isi
    17. Quantum Electron., 49:7 (2019), 641–648  mathnet  crossref  isi  elib
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Number of views:
    This page:271
    Full text:27
    References:29
    First page:25

     
    Contact us:
     Terms of Use  Registration  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2020