RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 4, страницы 303–307 (Mi qe16597)  

Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

Лазеры

Импульсно-периодический Fe : ZnSe-лазер со средней мощностью излучения 20 Вт при комнатной температуре поликристаллического активного элемента

С. Д. Великановa, Е. М. Гаврищукb, Н. А. Зарецкийa, А. В. Захряпаa, В. Б. Иконниковb, С. Ю. Казанцевc, И. Г. Кононовc, А. А. Манешкинa, Д. А. Машковскийc, Е. В. Салтыковa, К. Н. Фирсовc, Р. С. Чуваткинa, И. М. Юткинa

a ФГУП "Российский федеральный ядерный центр – ВНИИЭФ", г. Саров Нижегородской обл.
b Институт химии высокочистых веществ РАН, г. Нижний Новгород
c Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Исследованы энергетические и спектрально-временные характеристики Fe : ZnSe-лазера в импульсном и импульсно-периодическом режимах работы при комнатной температуре поликристаллического активного элемента. Накачка кристалла осуществлялась нецепным электроразрядным HF-лазером. Достигнутая в моноимпульсном режиме энергия излучения Fe : ZnSe-лазера составила 1.67 Дж при эффективности по поглощенной в кристалле и падающей на кристалл энергии ~43% и ~27% соответственно. В импульсно-периодическом режиме при частоте следования импульсов 20 Гц и эффективности по поглощенной в кристалле мощности ~40% получена средняя мощность излучения лазера ~20 Вт с энергией в отдельном импульсе ~1 Дж. Обсуждаются возможности дальнейшего увеличения средней мощности излучения импульсно-периодического Fe : ZnSe-лазера при комнатной температуре активного элемента.

Ключевые слова: Fe : ZnSe-лазер, поликристалл, комнатная температура, импульсно-периодический режим, электроразрядный HF-лазер, средняя мощность излучения.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 15-13-10028
Российский фонд фундаментальных исследований 15-02-06005
15-08-02562
Работа поддержана грантом РНФ № 15-13-10028 в части разработки технологии и изготовления образцов Fe:ZnSe, а также грантами РФФИ № 15-02-06005 и № 15-08-02562 в части разработки экспериментальных методик и проведения лазерных исследований.

Автор для корреспонденции

Полный текст: PDF файл (944 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2017, 47:4, 303–307

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 16.02.2017

Образец цитирования: С. Д. Великанов, Е. М. Гаврищук, Н. А. Зарецкий, А. В. Захряпа, В. Б. Иконников, С. Ю. Казанцев, И. Г. Кононов, А. А. Манешкин, Д. А. Машковский, Е. В. Салтыков, К. Н. Фирсов, Р. С. Чуваткин, И. М. Юткин, “Импульсно-периодический Fe : ZnSe-лазер со средней мощностью излучения 20 Вт при комнатной температуре поликристаллического активного элемента”, Квантовая электроника, 47:4 (2017), 303–307 [Quantum Electron., 47:4 (2017), 303–307]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe16597
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v47/i4/p303

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. M. P. Frolov, Yu. V. Korostelin, V. I. Kozlovsky, Yu. P. Podmar'kov, Ya. K. Skasyrsky, Opt. Lett., 43:3 (2018), 623–626  crossref  isi
    2. E. Gavrishchuk, M. Zykova, E. Mozhevitina, R. Avetisov, V. Ikonnikov, D. Savin, S. Rodin, K. Firsov, S. Kazantsev, I. Kononov, I. Avetissov, Phys. Status Solidi A-Appl. Mat., 215:4, SI (2018), 1700457  crossref  isi
    3. K. N. Firsov, E. M. Gavrishchuk, V. B. Ikonnikov, S. Yu. Kazantsev, I. G. Kononov, T. V. Kotereva, D. V. Savin, N. A. Timofeeva, Phys. Wave Phenom., 26:1 (2018), 41–46  crossref  isi
    4. I. R. Avetisov, S. S. Balabanov, K. N. Firsov, E. M. Gavrishchuk, A. A. Gladilin, V. B. Ikonnikov, V. P. Kalinushkin, S. Yu. Kazantsev, I. G. Kononov, M. P. Zykova, E. N. Mozhevitina, V. A. Khomyakov, V. D. Savin, N. A. Timofeeva, V. O. Uvarov, I. Ch. Avetissov, J. Cryst. Growth, 491 (2018), 36–41  crossref  isi
    5. I. S. Kurchatov, E. F. Kustov, Semiconductors, 52:7 (2018), 821–827  crossref  isi
    6. E. E. Alekseev, S. Yu. Kazantsev, I. G. Kononov, V. E. Rogalin, K. N. Firsov, Opt. Spectrosc., 124:6 (2018), 821–825  crossref  isi
    7. A. A. Belevtsev, K. N. Firsov, S. Yu. Kazantsev, I. G. Kononov, S. V. Podlesnykh, J. Phys. D-Appl. Phys., 51:38 (2018), 384003  crossref  isi  scopus
    8. S. B. Mirov, I. S. Moskalev, S. Vasilyev, V. Smolski, V. V. Fedorov, D. Martyshkin, J. Peppers, M. Mirov, A. Dergachev, V. Gapontsev, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 24:5 (2018), 1601829  crossref  isi  scopus
    9. V A. Pushkin, E. A. Migal, H. Uehara, K. Goya, S. Tokita, M. P. Frolov, V Yu. Korostelin, I V. Kozlovsky, Ya. K. Skasyrsky, V F. Potemkin, Opt. Lett., 43:24 (2018), 5941–5944  crossref  isi  scopus
    10. S. S. Balabanov, K. N. Firsov, E. M. Gavrishchuk, V. B. Ikonnikov, S. Yu. Kazantsev, I. G. Kononov, V. Kotereva, V. D. Savin, N. A. Timofeeva, Laser Phys. Lett., 15:4 (2018), 045806  crossref  isi  scopus
    11. Tao M. Shen Ya. Zhu F. Huang Ch. Ma L. Chen H. Luan K. Huang K. Feng G. Ye X., Laser Phys., 29:3 (2019), 035001  crossref  isi  scopus
    12. Balabanov S.S. Firsov K.N. Gavrishchuk E.M. Ikonnikov V.B. Kononov I.G. Kurashkin V S. Podlesnykh V S. Savin V D. Sirotkin A.A., Laser Phys. Lett., 16:5 (2019), 055004  crossref  isi
    13. Frolov M.P. Korostelin Yu.V. Kozlovsky V.I. Skasyrsky Ya.K., Laser Phys., 29:8 (2019), 085004  crossref  isi
    14. Balabanov S.S., Gavrishchuk E.M., Gladilin A.A., Ikonnikov V.B., Il'ichev N.N., Kalinushkin V.P., Mironov S.A., Savin D.V., Studenikin M.I., Timofeeva N.A., Uvarov O.V., Chapnin V.A., Inorg. Mater., 55:5 (2019), 423–431  crossref  isi
    15. Ning Sh. Feng G. Zhang H. Zhang W. Dai Sh. Zhou Sh., Opt. Mater., 89 (2019), 473–479  crossref  isi
    16. Pan Q., Xie J., Wang Ch., He Ya., Yu D., Zhang K., Chen F., Proceedings of Spie, 11046, ed. Zhao Y., Spie-Int Soc Optical Engineering, 2019, 110462A  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:262
    Полный текст:25
    Литература:26
    Первая стр.:25
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020