RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 4, страницы 378–384 (Mi qe16599)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Оптические элементы

Влияние структурных дефектов апериодических многослойных зеркал на свойства отраженных (суб)фемтосекундных импульсов

С. А. Гарахинa, Е. Н. Мельчаковb, В. Н. Полковниковa, Н. Н. Салащенкоa, Н. И. Чхалоa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Laboratoire Charles Fabry, Institut d'Optique Graduate School, France

Аннотация: На примере модельного апериодического многослойного Mo/Si-зеркала, предназначенного для сжатия чирпированного импульса со спектром, лежащим в диапазоне энергий фотонов 50 – 80 эВ, численно изучено влияние структурных дефектов, таких как межслойная шероховатость, флуктуации толщин слоев и отличие плотности пленок Mo от табличной, на амплитуду и фазу комплексного коэффициента отражения, а также на амплитуду и длительность отраженного импульса. Показано, что наиболее сильно на амплитуду и длительность отраженного импульса влияют отличие плотностей пленок Мо от табличных значений и флуктуации толщин пленок. Межслоевая шероховатость оказывает сопоставимое воздействие на амплитуду коэффициента отражения, но при этом не столь сильно влияет на длительность отраженного импульса. Даже незначительные флуктуации толщин пленок могут привести к появлению дополнительных отраженных импульсов с высокой интенсивностью, задержанных по времени относительно основного. В широком диапазоне толщин пленок Mo в Mo/Si-зеркале показано, что плотность пленок при изменении их толщины от 1.5 до 5.5 нм изменяется от 0.77 до 0.97 (в долях от табличного значения для массивного молибдена). Обсуждаются ключевые проблемы, которые необходимо решить для развития технологии изготовления апериодических многослойных зеркал с требуемыми характеристиками.

Ключевые слова: апериодическое многослойное зеркало, фемтосекундный чирпированный импульс, комплексный коэффициент отражения, генетический алгоритм, шероховатость, преобразования Фурье.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
Российский фонд фундаментальных исследований 17-52-150006
Российский научный фонд 16-42-01034
Работа поддержана Программой Президиума РАН «Экстремальное лазерное излучение: физика и фундаментальные приложения», грантом РФФИ № 17-52-150006, а также грантом РНФ – DFG № 16-42-01034 в части экспериментального определения зависимости плотности пленок молибдена от их толщины.

Автор для корреспонденции

Полный текст: PDF файл (1095 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Материалы:
pic_10.pdf 374.1 Kb
pic_6.pdf 289.4 Kb


Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2017, 47:4, 378–384

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 03.03.2017

Образец цитирования: С. А. Гарахин, Е. Н. Мельчаков, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, Н. И. Чхало, “Влияние структурных дефектов апериодических многослойных зеркал на свойства отраженных (суб)фемтосекундных импульсов”, Квантовая электроника, 47:4 (2017), 378–384 [Quantum Electron., 47:4 (2017), 378–384]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe16599
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v47/i4/p378

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. М. М. Барышева, С. А. Гарахин, С. Ю. Зуев, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, М. В. Свечников, Н. И. Чхало, С. Юлин, Квантовая электроника, 49:4 (2019), 380–385  mathnet; Quantum Electron., 49:4 (2019), 380–385  crossref  isi  elib
    2. Garakhin S.A. Zuev S.Yu. Pleshkov R.S. Polkovnikov V.N. Salashchenko N.N. Chkhalo I N., J. Surf. Ingestig., 13:2 (2019), 267–271  crossref  isi
    3. Vainer Yu.A. Garakhin S.A. Polkovnikov V.N. Salashchenko N.N. Svechnikov M.V. Chkhalo N.I. Yunin P.A., J. Surf. Ingestig., 13:1 (2019), 8–13  crossref  isi
    4. В. В. Лидер, УФН, 189:11 (2019), 1137–1171  mathnet  crossref; V. V. Lider, Phys. Usp., 62:11 (2019), 1063–1095  crossref  isi  elib
    5. В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, М. В. Свечников, Н. И. Чхало, УФН, 190:1 (2020), 92–106  mathnet  crossref; V. N. Polkovnikov, N. N. Salashchenko, M. V. Svechnikov, N. I. Chkhalo, Phys. Usp., 63:1 (2020), 83–95  crossref  isi  elib
    6. А. О. Колесников, Е. А. Вишняков, Е. Н. Рагозин, А. Н. Шатохин, Квантовая электроника, 50:10 (2020), 967–975  mathnet; Quantum Electron., 50:10 (2020), 967–975  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:383
    Полный текст:23
    Литература:21
    Первая стр.:11
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021