RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 6, страницы 528–532 (Mi qe16628)  

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Ионизационная реакция в полупроводниковых структурах при облучении рентгеновским излучением фемтосекундного лазерно-плазменного источника

А. И. Чумаковab, М. П. Беловаb, Л. Н. Кессаринскийa, А. Я. Борисовa, К. А. Ивановcde, И. Н. Цымбаловce, Р. В. Волковce, А. Б. Савельевce, Л. И. Галанинаf, Н. П. Чирскаяf, Л. С. Новиковf

a ЭНПО "СПЭЛС", г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"
c Международный учебно-научный лазерный центр МГУ им. М. В. Ломоносова
d Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
e Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
f Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына

Аннотация: Проанализированы возможности применения фемтосекундного лазерно-плазменного источника рентгеновского излучения для моделирования эффектов воздействия отдельных ядерных частиц на основе принципа генерации эквивалентного заряда. Обоснованы параметры воздействия рентгеновского излучения фемтосекундной длительности для экспериментального моделирования одиночных радиационных эффектов. Описана экспериментальная установка, формирующая рентгеновское излучение. Представлены результаты сравнительного моделирования ионизационной реакции в простых электронных изделиях с помощью кодов FLUKA и GEANT.

Ключевые слова: рентгеновское излучение, фемтосекундная лазерная плазма, одиночные радиационные эффекты, микроэлектронные изделия.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 14-29-09244 офи_м
15-32-20417 мол-а-вед
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (гранты № 14-29-09244 офи_м и 15-32-20417_мол-а-вед). Работа К. А. Иванова поддержана стипендией Президента РФ молодым ученым и аспирантам, осуществляющим перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики, на 2017 – 2018 годы.


Полный текст: PDF файл (629 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2017, 47:6, 528–532

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 17.03.2017
Исправленный вариант: 11.05.2017

Образец цитирования: А. И. Чумаков, М. П. Белова, Л. Н. Кессаринский, А. Я. Борисов, К. А. Иванов, И. Н. Цымбалов, Р. В. Волков, А. Б. Савельев, Л. И. Галанина, Н. П. Чирская, Л. С. Новиков, “Ионизационная реакция в полупроводниковых структурах при облучении рентгеновским излучением фемтосекундного лазерно-плазменного источника”, Квантовая электроника, 47:6 (2017), 528–532 [Quantum Electron., 47:6 (2017), 528–532]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe16628
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v47/i6/p528

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:797
    Полный текст:16
    Литература:26
    Первая стр.:18
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020