RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 6, страницы 509–521 (Mi qe16630)  

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

О формировании и кристаллизации жидкой струи, возникающей при воздействии на пленку остросфокусированным лазерным пучком

С. И. Анисимовa, В. В. Жаховскийb, Н. А. Иногамовa, С. А. Мурзовcb, В. А. Хохловa

a Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН
b Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н. Л. Духова, г. Москва
c Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный Московской обл.

Аннотация: Рассмотрено воздействие ультракороткого лазерного импульса на тонкую пленку золота, нанесенную на стеклянную подложку, при фокусировке излучения в пятно размером около 1 мкм. Проанализированы движение и тепловая история пленки, отслоившейся в пятне нагрева вследствие ее расплава. Показано, что отслоившийся участок образует куполообразное вздутие, движение которого тормозится поверхностным натяжением. После остановки и поворота купола назад, в сторону подложки, в его вершине начинает расти струя. Одновременно из-за теплоотвода по пленке начинается процесс рекристаллизации расплава, который охватывает сначала купол, а затем струю. Жидкая часть струи растягивается и распадается на капли из-за развития неустойчивости Плато–Рэлея. Формирование сужения шейки и отрыв последней капли происходят в зоне затвердевания между кристаллической и жидкой частями струи, причем распространение зоны кристаллизации по струе опережает процесс сужения, поэтому разрыв шейки имеет место уже в твердотельной фазе в условиях неравновесной кристаллизации (температура расплава на сотни градусов ниже температуры плавления), предельных механических напряжений и высоких темпов деформации. В результате струя превращается в высокую иглу с ультрамалым радиусом заострения (единицы нанометров).

Ключевые слова: ультракороткое лазерное воздействие, абляция тонких пленок, одиночные наноструктуры.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-19-01599
Работа выполнена при поддержке РНФ (грант № 14-19-01599).


Полный текст: PDF файл (3243 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Материалы:
pic_10.pdf 688.5 Kb
pic_11.pdf 586.1 Kb
pic_12.pdf 586.1 Kb
pic_13.pdf 586.1 Kb
pic_14.pdf 1.6 Mb
pic_15.pdf 1.6 Mb
pic_16.pdf 1.6 Mb
pic_17.pdf 357.5 Kb
pic_8.pdf 633.7 Kb
pic_9.pdf 688.5 Kb


Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2017, 47:6, 509–521

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 24.03.2017

Образец цитирования: С. И. Анисимов, В. В. Жаховский, Н. А. Иногамов, С. А. Мурзов, В. А. Хохлов, “О формировании и кристаллизации жидкой струи, возникающей при воздействии на пленку остросфокусированным лазерным пучком”, Квантовая электроника, 47:6 (2017), 509–521 [Quantum Electron., 47:6 (2017), 509–521]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe16630
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v47/i6/p509

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:100
    Литература:19
    Первая стр.:11

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2018