RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 6, страницы 503–508 (Mi qe16631)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Модификация поверхности раздела SiO2/Si при воздействии импульсно-периодического излучения волоконного лазера

А. М. Скворцовa, В. П. Вейкоa, К. Т. Хуиньb, Д. С. Поляковa, А. М. Тамперa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Quy Nhon University, Viet Nam

Аннотация: Изучены особенности структурной модификации поверхности раздела кремний – окисел при воздействии импульсно-периодического лазерного излучения на длине волны 1.07 мкм. Установлено, что наличие слоя термически выращенного оксида на поверхности кремния оказывает существенное влияние на процесс дефектообразования и характер микроструктурирования поверхности благодаря особому сложнонапряженному механическому состоянию такой структуры.

Ключевые слова: поверхность раздела кремний – окисел, микроструктурирование, дислокации, микроплавление, волоконный лазер.

Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.578.21.0197 (RFMEFI57816X0197)
«Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки РФ (соглашение № 14.578.21.0197 (RFMEFI57816X0197)).


Полный текст: PDF файл (3214 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2017, 47:6, 503–508

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 24.03.2017

Образец цитирования: А. М. Скворцов, В. П. Вейко, К. Т. Хуинь, Д. С. Поляков, А. М. Тампер, “Модификация поверхности раздела SiO2/Si при воздействии импульсно-периодического излучения волоконного лазера”, Квантовая электроника, 47:6 (2017), 503–508 [Quantum Electron., 47:6 (2017), 503–508]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe16631
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v47/i6/p503

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Е. Б. Яковлев, Д. С. Поляков, Квантовая электроника, 48:3 (2018), 255–262  mathnet  elib; Quantum Electron., 48:3 (2018), 255–262  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:735
    Литература:16
    Первая стр.:19

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019