RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 8, страницы 693–695 (Mi qe16666)  

Лазеры

Решетки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs с КПД до 62%

М. А. Ладугинa, А. А. Мармалюкab, А. А. Падалицаa, К. Ю. Телегинa, А. В. Лобинцовa, С. М. Сапожниковa, А. И. Даниловa, А. В. Подкопаевa, В. А. Симаковa

a АО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"

Аннотация: Продемонстрированы результаты создания решеток лазерных диодов, работающих в квазинепрерывном режиме на длине волны 808 нм с высоким КПД. Излучатели были изготовлены на основе полупроводниковых квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Приведены данные измерений спектральных, пространственных, электрических и мощностных характеристик. Выходная оптическая мощность излучателя с размерами тела свечения 5 × 10 мм составляла 2.7 кВт при рабочем токе накачки 100 А, максимальный КПД достигал 62%.

Ключевые слова: решетки лазерных диодов, КПД, квантоворазмерные гетероструктуры, МОС-гидридная эпитаксия, AlGaAs / GaAs.

Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа выполнена при частичной поддержке программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ.


Полный текст: PDF файл (630 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2017, 47:8, 693–695

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 31.05.2017

Образец цитирования: М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, К. Ю. Телегин, А. В. Лобинцов, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, А. В. Подкопаев, В. А. Симаков, “Решетки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs с КПД до 62%”, Квантовая электроника, 47:8 (2017), 693–695 [Quantum Electron., 47:8 (2017), 693–695]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe16666
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v47/i8/p693

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:374
    Литература:18
    Первая стр.:25
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019