RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 3, страницы 215–221 (Mi qe16779)  

Лазеры и усилители

Усиленная люминесценция сильнолегированных AlxGa1-xN-структур при оптическом возбуждении

П. А. Боханa, К. С. Журавлёвa, Д. Э. Закревскийab, Т. В. Малинa, И. В. Осинныхa, Н. В. Фатеевac

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный технический университет
c Новосибирский государственный университет

Аннотация: Исследованы спектральные, временные и поляризационные характеристики люминесценции сильнолегированных AlxGa1-xN-пленок на подожке из сапфира при оптической импульсной накачке излучением с λ = 266 нм. Спектры спонтанного излучения, связанные с донорно-акцепторными переходами, имеют неоднородное уширение с шириной на полувысоте более 0.5 эВ и охватывают весь видимый диапазон. Спектры излучения, выходящего из торца исследуемых структур, состоят из нескольких узкополосных эквидистантных компонент, каждая из которых расщепляется на TE и TM моды со взаимно перпендикулярной поляризацией. Это связано с распространением плоских волн внутри плоского волновода по зигзагообразному пути при полном внутреннем отражении от поверхностей волновода. Измерены оптические коэффициенты усиления, которые для Al0.5Ga0.5N/AlN на λ ≈ 510 нм, Al0.74Ga0.26N/AlN на λ ≈ 468 нм и AlN/Al0.6Ga0.4N/AlN/Al2O3 на λ ≈ 480 нм составили ~70, 20 и 44 см-1 соответственно. Измеренные значения квантовой эффективности люминесценции равны 0.79, 0.49 и 0.14 для пленок Al0.74Ga0.26N, Al0.65Ga0.35N и Al0.5Ga0.5N, вычисленные значения сечений перехода в центре полосы излучения составляют ~10-18 см2.

Ключевые слова: люминесценция, оптическое возбуждение, спонтанное излучение, усиление.
Автор для корреспонденции

Полный текст: PDF файл (1250 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2018, 48:3, 215–221

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 09.10.2017
Исправленный вариант: 29.12.2017

Образец цитирования: П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Усиленная люминесценция сильнолегированных AlxGa1-xN-структур при оптическом возбуждении”, Квантовая электроника, 48:3 (2018), 215–221 [Quantum Electron., 48:3 (2018), 215–221]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe16779
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v48/i3/p215

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:106
    Литература:16
    Первая стр.:17
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019