RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 7, страницы 675–678 (Mi qe16847)  

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Многоцветный фотодетектор на основе гетероструктуры ZnSe/ZnTe/GaAs

С. В. Аверин, П. И. Кузнецов, В. А. Житов, Л. Ю. Захаров, В. М. Котов

Филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Московская обл., Фрязино

Аннотация: Исследованы структурные, оптические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры ZeSe/ZnTe/GaAs и металл – полупроводник – металл-детектора (MПM-детектора) на ее основе. Состав и толщины отдельных слоев гетероструктуры определены методами энергодисперсионного анализа и рамановской спектроскопии, оптические свойства изучены по спектрам фотолюминесценции. МПМ-детектор на основе ZeSe/ZnTe/GaAs-гетероструктуры обладает высокой чувствительностью. Так, на длине волны 620 нм сигнал отклика детектора соответствует ампер-ваттной чувствительности 0.19 А/Вт и внешней квантовой эффективности 38%. Фотоотклик MПM-детектора демонстрирует три пика, расположенных на длинах волн 510, 620 и 870 нм. Для МПМ-диода с шириной встречно-штыревых контактов 2.8 мкм, расстояниями между ними 2.8 мкм и общей площадью фоточувствительной области 100 × 100 мкм плотность темнового тока при комнатной температуре составляет 10-8 А/см2.

Ключевые слова: фотодетектор, МПМ-диод, гетероструктура, темновой ток, спектральный отклик.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-07-00205
Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ (проект № 17-07-00205).


Полный текст: PDF файл (2115 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2018, 48:7, 675–678

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 27.11.2017

Образец цитирования: С. В. Аверин, П. И. Кузнецов, В. А. Житов, Л. Ю. Захаров, В. М. Котов, “Многоцветный фотодетектор на основе гетероструктуры ZnSe/ZnTe/GaAs”, Квантовая электроника, 48:7 (2018), 675–678 [Quantum Electron., 48:7 (2018), 675–678]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe16847
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v48/i7/p675

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:93
    Литература:15
    Первая стр.:7
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020