Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 3, страницы 226–230 (Mi qe17001)  

Управление параметрами лазерного излучения

Генерация управляемых мод Айнса–Гаусса в микрочиповом лазере с пассивной модуляцией добротности при накачке усеченным нецентральным гауссовым пучком

Минмин Чжанa, Шэнчуан Байb, Цзюнь Дунa

a Laboratoty of Laser and Applied Photonics (LLAP), Department of Electronics Engineering, College of Electronic Science and Technology, Xiamen University
b Department of Automation, Tsinghua University, China

Аннотация: Продемонстрирован микрочиповый Nd : YAG/Cr4+ : YAG-лазер с пассивной модуляцией добротности (ПМД), накачиваемый усеченным нецентральным гауссовым пучком с целью управления генерацией мод Айнса–Гаусса (IG). Моды IGe(n, n) (n = 0, ..., 4) были получены экспериментально подбором соответствующего параметра усечения, который определялся как отношение радиусов апертуры и перетяжки пучка накачки. Мода IGe(4, 4) получена при нецентральной накачке гауссовым пучком мощностью 2.6 Вт, переключение мод достигалось путем уменьшения параметра усечения. Для иллюстрации процесса селекции мод теоретически рассчитаны пороговые мощности накачки для различных мод IGe(n, n). Таким образом, в микрочиповом лазере с ПМД получена импульсная генерация мод IGe(n, n) (n ≥ 1) с пиковой мощностью более 1 кВт и наносекундной длительностью импульса; такие лазеры являются потенциальными источниками излучения для формирования гибких массивов оптических вихрей для оптических пинцетов.

Ключевые слова: моды Айнса–Гаусса, микрочиповый лазер, Nd : YAG, лазер с пассивной модуляцией добротности, Cr4+ : YAG.

Финансовая поддержка Номер гранта
National Natural Science Foundation of China 61475130
61275143
NCET - New Century Excellent Talents in University (China) NCET-09-0669
Работа поддержана Национальным научным фондом Китая (грант № 61475130, 61275143) и Программой “Выдающиеся университетские таланты нового века” (грант № NCET-09-0669).


Полный текст: PDF файл (1286 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, 49:3, 226–230

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 18.10.2018

Образец цитирования: Минмин Чжан, Шэнчуан Бай, Цзюнь Дун, “Генерация управляемых мод Айнса–Гаусса в микрочиповом лазере с пассивной модуляцией добротности при накачке усеченным нецентральным гауссовым пучком”, Квантовая электроника, 49:3 (2019), 226–230 [Quantum Electron., 49:3 (2019), 226–230]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe17001
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v49/i3/p226

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:177
    Полный текст:3
    Литература:8
    Первая стр.:9
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021