RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 4, страницы 358–361 (Mi qe17021)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Специальный выпуск 'Экстремальные световые поля и их взаимодействие с веществом'

Бесконтактный метод исследования температуры в активном элементе мультидискового криогенного усилителя

В. В. Петровabc, Г. В. Купцовabc, А. И. Ноздринаac, В. А. Петровac, А. В. Лаптевa, А. В. Кирпичниковa, Е. В. Пестряковab

a Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский национальный исследовательский государственный университет
c Новосибирский государственный технический университет

Аннотация: Разработан и экспериментально реализован новый оригинальный метод, позволяющий бесконтактно измерять температурные поля в области накачки активных элементов лазерных усилителей с мощной диодной накачкой, в том числе работающих при криогенных температурах. Промоделировано и экспериментально подтверждено наличие градиента температуры вдоль оси пучка излучения накачки величиной ~57 К/мм в центре активного элемента лазерного блока усиления, работающего при криогенных температурах с частотой следования импульсов до 1 кГц.

Ключевые слова: диодная накачка, высокая частота следования импульсов, криогенные температуры, лазерный усилитель, лазерная термометрия.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 0307-2017-0011
Сибирское отделение Российской академии наук
Российский фонд фундаментальных исследований 19-42-543007
Работа выполнена при поддержке Программ фундаментальных исследований Президиума РАН “Экстремальные световые поля и их взаимодействие с веществом” и СО РАН (№ 0307-2017-0011), а также РФФИ (грант № 19-42-543007).


Полный текст: PDF файл (588 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, 49:4, 358–361

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 19.02.2019

Образец цитирования: В. В. Петров, Г. В. Купцов, А. И. Ноздрина, В. А. Петров, А. В. Лаптев, А. В. Кирпичников, Е. В. Пестряков, “Бесконтактный метод исследования температуры в активном элементе мультидискового криогенного усилителя”, Квантовая электроника, 49:4 (2019), 358–361 [Quantum Electron., 49:4 (2019), 358–361]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe17021
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v49/i4/p358

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. В. В. Петров, В. А. Петров, Г. В. Купцов, А. В. Лаптев, А. В. Кирпичников, Е. В. Пестряков, Квантовая электроника, 50:4 (2020), 315–320  mathnet; Quantum Electron., 50:4 (2020), 315–320  crossref  isi  elib
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:105
    Литература:7
    Первая стр.:8
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020