RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 6, страницы 556–558 (Mi qe17063)  

Подборка работ, доложенных на Симпозиуме 'Полупроводниковые лазеры: физика и технология'

Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdxHg1-xTe, излучающих на длине волны 18 мкм

М. А. Фадеевab, А. А. Дубиновa, В. Я. Алешкинa, В. В. Румянцевa, В. В. Уточкинa, В. И. Гавриленкоa, Ф. Тепb, Х.-В. Хюберсc, Н. Н. Михайловd, С. А. Дворецкийd, С. В. Морозовa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Laboratoire Charles Coulomb, Universite Montpellier, France
c Institut für Physik, Humboldt-Universität zu Berlin, Germany
d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Проведен численный анализ энергетического порога оже-рекомбинации в гетероструктурах HgTe/CdxHg1-xTe с квантовыми ямами для различного состава твердого раствора в барьерах. Продемонстрировано, что зависимость пороговой энергии от доли кадмия в барьерах немонотонна и достигает максимума при x ≈ 0.6–0.7. Сравнение численных расчетов с экспериментальными результатами по температурному гашению стимулированного излучения в структуре Cd0.1Hg0.9Te/Cd0.65Hg0.35Te позволяет рассчитывать на более чем двукратное увеличение температуры гашения стимулированного излучения в структурах с квантовыми ямами из чистого HgTe и барьерами с высоким (~0.6) содержанием кадмия.

Ключевые слова: пороговая энергия, оже-рекомбинация, HgCdTe.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-12-01360
Работа выполнена при поддержке гранта Российского научного фонда (проект № 17-12-01360).


Полный текст: PDF файл (394 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, 49:6, 556–558

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 04.04.2019

Образец цитирования: М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. В. Румянцев, В. В. Уточкин, В. И. Гавриленко, Ф. Теп, Х.-В. Хюберс, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdxHg1-xTe, излучающих на длине волны 18 мкм”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 556–558 [Quantum Electron., 49:6 (2019), 556–558]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe17063
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v49/i6/p556

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:54
    Литература:7
    Первая стр.:13
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020