RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 10, страницы 909–912 (Mi qe17132)  

Лазеры

Исследование поверхностно-излучающего полупроводникового лазера с внешним зеркалом на структуре InGaAs/AlGaAs при накачке электронным пучком

А. Ю. Андреевa, Т. А. Багаевa, М. Р. Бутаевbc, Н. А. Гамовd, Е. В. Ждановаd, М. М. Зверевdb, В. И. Козловскийbc, Я. К. Скасырскийb, И. В. Яроцкаяa

a АО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
b Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
d Московский технологический университет «МИРЭА», г. Москва

Аннотация: Исследован поверхностно-излучающий полупроводниковый лазер с внешним зеркалом на структуре InGaAs/AlGaAs при накачке электронным пучком. Методом осаждения металлоорганических соединений из газовой фазы были выращены две отличающиеся дизайном структуры, которые содержали 10 квантовых ям и встроенное брэгговское зеркало. При импульсно-периодическом возбуждении электронным пучком (50 Гц, 250 нс) достигнута пиковая мощность 5.5 Вт на длине волны 1.062 мкм и 2.5 Вт на длине волны 1.013 мкм с полным углом расходимости не более 20 мрад.

Ключевые слова: поверхностно-излучающий полупроводниковый лазер с внешним зеркалом, структура InGaAs/AlGaAs, электронный пучок.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00436
Министерство образования и науки Российской Федерации 02.a03.21.0005
Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант № 18-02-00436) и Программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ (Договор № 02.a03.21.0005)


Полный текст: PDF файл (1116 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, 49:10, 909–912

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 23.05.2019

Образец цитирования: А. Ю. Андреев, Т. А. Багаев, М. Р. Бутаев, Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, М. М. Зверев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, И. В. Яроцкая, “Исследование поверхностно-излучающего полупроводникового лазера с внешним зеркалом на структуре InGaAs/AlGaAs при накачке электронным пучком”, Квантовая электроника, 49:10 (2019), 909–912 [Quantum Electron., 49:10 (2019), 909–912]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe17132
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v49/i10/p909

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:85
    Литература:6
    Первая стр.:19
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020