RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 10, страницы 931–935 (Mi qe17134)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Лазеры

Суперлюминесцентные диоды на основе двухслойных асимметричных наногетероструктур

Е. В. Андрееваa, С. Н. Ильченкоa, М. А. Ладугинb, А. А. Мармалюкb, К. М. Панкратовa, В. Р. Шидловскийa, С. Д. Якубовичc

a ООО "Оптон", г. Москва
b ООО "Сигм Плюс", г. Москва
c Московский технологический университет (МИРЭА)

Аннотация: Экспериментально исследованы мощностные и спектральные характеристики суперлюминесцентных диодов (СЛД) ближнего ИК диапазона спектра на основе двухслойных асимметричных наногетероструктур в системе GaAs/InGaAs. Показано, что вариация состава активных слоёв и длины поперечно-одномодового активного канала этих СЛД позволяют изменять в широких пределах достижимую выходную оптическую мощность и ширину спектра излучения, сохраняя при этом его симметричную колоколообразную форму. Исследованные СЛД обладают более "чистой" автокорреляционной функцией интенсивности излучения, более слабой зависимостью ширины спектра излучения от тока инжекции и большей поляризацией излучения, чем широко распространённые СЛД на основе однослойных наногетероструктур, имеющие те же ширины спектра.

Ключевые слова: суперлюминесцентный диод, асимметричная двухслойная наногетероструктура.

Полный текст: PDF файл (880 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, 49:10, 931–935

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 05.06.2019

Образец цитирования: Е. В. Андреева, С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. М. Панкратов, В. Р. Шидловский, С. Д. Якубович, “Суперлюминесцентные диоды на основе двухслойных асимметричных наногетероструктур”, Квантовая электроника, 49:10 (2019), 931–935 [Quantum Electron., 49:10 (2019), 931–935]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe17134
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v49/i10/p931

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Д. Р. Сабитов, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин, Квантовая электроника, 50:9 (2020), 830–833  mathnet; Quantum Electron., 50:9 (2020), 830–833  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:81
    Литература:6
    Первая стр.:7
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020