RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 10, страницы 905–908 (Mi qe17135)  

Лазеры

Непрерывные лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs

М. А. Ладугин, Н. В. Гультиков, А. А. Мармалюк, В. П. Коняев, А. В. Соловьева

АО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

Аннотация: Представлены результаты разработки и исследования основных характеристик интегрированных лазерных излучателей спектрального диапазона 1040–1080 нм. Указанные приборы были изготовлены на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с одной или двумя излучающими областями, измерения проводились в импульсном, квазинепрерывном и непрерывном режимах накачки. Установлено, что наряду с очевидным преимуществом интегрированных излучателей – увеличением выходной оптической мощности, они обладают и существенным ограничением, заключающимся в увеличении количества выделяемого тепла. Несмотря на это, показано, что такие интегрированные двойные лазерные диоды эффективно работают в непрерывном режиме генерации (Pmax ~ 6 Вт), демонстрируя увеличение дифференциальной квантовой эффективности в 1.7 раза по сравнению с одиночными лазерными диодами.

Ключевые слова: лазерный диод, эпитаксиально-интегрированная гетероструктура, непрерывный режим, тепловыделение.

Полный текст: PDF файл (803 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, 49:10, 905–908

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 27.06.2019

Образец цитирования: М. А. Ладугин, Н. В. Гультиков, А. А. Мармалюк, В. П. Коняев, А. В. Соловьева, “Непрерывные лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 49:10 (2019), 905–908 [Quantum Electron., 49:10 (2019), 905–908]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe17135
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v49/i10/p905

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:87
    Литература:5
    Первая стр.:10
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020