RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 3, страницы 256–258 (Mi qe17221)  

Статьи, посвященные 80-летию В.С.Летохова

Неоднородное уширение и расщепление линий в спектрах YAG:Tm

М. Н. Поповаa, Е. П. Чукалинаa, С. А. Климинa, М. Ч. Чуb

a Институт спектроскопии РАН, г. Москва, г. Троицк
b Center of Crystal Research, National Sun Yat-Sen University, Taiwan

Аннотация: По спектрам высокого разрешения исследованы форма и тонкая структура линий электронных f – f переходов ионов Tm3+ в многофункциональных кристаллах гранатов Y3Al5O12. Неоднородно уширенные линии имеют лоренцеву форму, что свидетельствует о доминирующем вкладе точечных дефектов в неоднородное уширение. Дефекты типа "иттрий на месте алюминия", возникающие в процессе высокотемпературного роста из расплава, обуславливают также появление спектральных спутников около основных линий.

Ключевые слова: YAG:Tm, спектроскопия высокого разрешения, форма линий, спектральные спутники.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-52-52001
Ministry of Science and Technology, Taiwan 107-2923-M-110-001-MY3
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант № 18-52-52001) и Министерства науки и технологий Тайваня (MOST, 107-2923-M-110-001-MY3).


Полный текст: PDF файл (696 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, 50:3, 256–258

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 10.02.2020

Образец цитирования: М. Н. Попова, Е. П. Чукалина, С. А. Климин, М. Ч. Чу, “Неоднородное уширение и расщепление линий в спектрах YAG:Tm”, Квантовая электроника, 50:3 (2020), 256–258 [Quantum Electron., 50:3 (2020), 256–258]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe17221
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v50/i3/p256

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:73
    Литература:8
    Первая стр.:5
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021