RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 4, страницы 335–342 (Mi qe17227)  

Экстремальные световые поля и их взаимодействие с веществом

Генерация гамма-излучения субтераваттным сверхкоротким лазерным импульсом: оптимизация преплазмы и длительности импульса

С. А. Шуляповa, И. Н. Цымбаловbc, К. А. Ивановad, Г. А. Господиновa, Р. В. Волковa, В. Ю. Быченковd, А. Б. Савельевad

a Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет
b Международный учебно-научный лазерный центр МГУ им. М. В. Ломоносова
c Институт ядерных исследований РАН, г. Москва
d Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва

Аннотация: Экспериментально и численно исследовано ускорение электронов в плазме при взаимодействии с субтераваттным лазерным импульсом (интенсивность излучения ~3 × 1018 Вт/см2 при длительности импульса 50 фс). Преплазменный слой на поверхности молибденовой мишени создавался дополнительным лазерным импульсом длительностью 8 нс и интенсивностью ~2 × 1012 Вт/см2. Показано, что увеличение длительности лазерного импульса до 1700 фс при неизменной энергии (и пропорциональном уменьшении интенсивности) приводит к повышению выхода тормозного γ-излучения более чем на порядок при опережении наносекундным импульсом фемтосекундного на 15–25 нс. На основе данных интерферометрии, диагностики оптического и γ-излучения плазмы продемонстрирована существенная роль столкновительной ионизации атомов электронами, осциллирующими в поле такого лазерного импульса, в формировании профиля электронной концентрации. Определена чувствительность описываемого эффекта к уровню усиленной спонтанной люминесценции, несмотря на воздействие наносекундного импульса. Численное моделирование показало, что при большой длительности импульса к ускорению электронов приводит опрокидывание плазменных волн, возбуждаемых в ходе вынужденного комбинационного рассеяния лазерного излучения.

Ключевые слова: субрелятивистская интенсивность, преплазма, контраст, усиленная спонтанная люминесценция, лазерная плазма, ускорение электронов, столкновительная ионизация.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-02-00104
19-32-60069
Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов № 19-02-00104 и 19-32-60069 с использованием оборудования Центра коллективного пользования сверхвысокопроизводительными вычислительными ресурсами МГУ им. М.В.Ломоносова.


Полный текст: PDF файл (2090 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Материалы:
pic_3.pdf 1.9 Mb
pic_7.pdf 446.6 Kb
pic_9.pdf 398.2 Kb


Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, 50:4, 335–342

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 06.02.2020
Исправленный вариант: 04.03.2020

Образец цитирования: С. А. Шуляпов, И. Н. Цымбалов, К. А. Иванов, Г. А. Господинов, Р. В. Волков, В. Ю. Быченков, А. Б. Савельев, “Генерация гамма-излучения субтераваттным сверхкоротким лазерным импульсом: оптимизация преплазмы и длительности импульса”, Квантовая электроника, 50:4 (2020), 335–342 [Quantum Electron., 50:4 (2020), 335–342]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe17227
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v50/i4/p335

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:83
    Литература:8
    Первая стр.:9
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020