RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 4, страницы 392–400 (Mi qe17237)  

Экстремальные световые поля и их взаимодействие с веществом

О зависимости эмиттанса от длины сгустка электронов при лазерно-плазменном ускорении в направляющих структурах

М. Е. Вейсманa, Н. Е. Андреевab

a Объединенный институт высоких температур РАН, г. Москва
b Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Московская облаcть, г. Долгопрудный

Аннотация: Проведены теоретический анализ и численное моделирование динамики поперечного эмиттанса сгустка электронов при его ускорении в кильватерных полях, генерируемых лазерным импульсом в слабонелинейном режиме. Получены аналитические выражения для основных факторов, влияющих на рост эмиттанса в процессе ускорения и рассмотрен случай, когда характерный поперечный размер инжектированного сгустка превышает согласованный радиус, определяемый величиной фокусирующей силы в точке инжекции, исходным эмиттансом и энергией электронного сгустка, а конечное значение эмиттанса много больше начального. Описана динамика роста эмиттанса в процессе ускорения в зависимости от длины сгустка электронов и найдена длина сгустка, при которой происходит полное фазовое перемешивание бетатронных колебаний электронов и увеличение эмиттанса до его максимального значения, определяемого параметрами сгустка и фокусирующей силой в точке инжекции. Аналитические выражения находятся в хорошем согласии с результатами численного моделирования.

Ключевые слова: лазерно-плазменное ускорение электронов, кильватерные поля, эмиттанс пучка электронов, бетатронные колебания.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
Российский фонд фундаментальных исследований 19-02-00908
Работа частично поддержана Программой фундаментальных исследований Президиума РАН “Экстремальные световые поля и их взаимодействие с веществом” и грантом РФФИ № 19-02-00908.


Полный текст: PDF файл (726 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, 50:4, 392–400

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 26.02.2020

Образец цитирования: М. Е. Вейсман, Н. Е. Андреев, “О зависимости эмиттанса от длины сгустка электронов при лазерно-плазменном ускорении в направляющих структурах”, Квантовая электроника, 50:4 (2020), 392–400 [Quantum Electron., 50:4 (2020), 392–400]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe17237
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v50/i4/p392

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:59
    Литература:9
    Первая стр.:4
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020