RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 4, страницы 315–320 (Mi qe17238)  

Экстремальные световые поля и их взаимодействие с веществом

Моделирование процесса лазерного усиления с учётом зависимости теплофизических и лазерных характеристик среды от распределения температуры в активном элементе Yb:YAG

В. В. Петровabc, В. А. Петровac, Г. В. Купцовac, А. В. Лаптевa, А. В. Кирпичниковa, Е. В. Пестряковa

a Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Новосибирский государственный технический университет

Аннотация: Разработана трёхмерная нестационарная модель процесса лазерного усиления с учётом зависимости теплофизических и лазерных характеристик активных сред от распределения температуры. Проведено численное моделирование процесса лазерного усиления в активных элементах двухкаскадного криогенного лазерного усилителя субджоульного класса, работающего с частотой следования импульсов до 1 кГц. Показано, что учёт температурного распределения является ключевым при расчёте криогенно охлаждаемых лазерных усилителей с мощной диодной накачкой. Определены оптимальные значения параметров излучения диодной накачки, при которых максимально достижимые энергии импульсов на выходе усилителя могут составлять 300 и 570 мДж для частот следования импульсов 1000 и 500 Гц соответственно.

Ключевые слова: диодная накачка, высокая частота следования импульсов, криогенные температуры, лазерный усилитель, уравнение теплопроводности.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций АААА-А18-118040290036-4
Российский фонд фундаментальных исследований 19-42-543007
20-02-00529-а
Министерство образования и науки Российской Федерации АААА-А17-117030310296-7
Работа поддержана программой Президиума РАН “Экстремальные световые поля и их взаимодействие с веществом” (№ АААА-А18-118040290036-4), частично проектами РФФИ и Новосибирской области (19-42-543007, 20-02-00529-а), Минобрнауки (№ АААА-А17-117030310296-7).


Полный текст: PDF файл (1099 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, 50:4, 315–320

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 26.02.2020

Образец цитирования: В. В. Петров, В. А. Петров, Г. В. Купцов, А. В. Лаптев, А. В. Кирпичников, Е. В. Пестряков, “Моделирование процесса лазерного усиления с учётом зависимости теплофизических и лазерных характеристик среды от распределения температуры в активном элементе Yb:YAG”, Квантовая электроника, 50:4 (2020), 315–320 [Quantum Electron., 50:4 (2020), 315–320]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe17238
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v50/i4/p315

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:107
    Литература:8
    Первая стр.:13
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020