RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 8, страницы 788–792 (Mi qe17297)  

Нелинейно-оптические явления

Влияние температуры выращивания монокристаллов KTiOAsO4 на их физико-химические параметры и формирование доменных структур

Л. И. Исаенкоa, А. П. Елисеевa, Д. Б. Колкерabc, В. Н. Веденяпинa, С. А. Журковd, Е. Ю. Ерушинb, Н. Ю. Костюковаabc, А. А. Бойкоabc, В. Я. Шурe, А. Р. Ахматхановe, М. А. Чуваковаe

a Новосибирский национальный исследовательский государственный университет
b Новосибирский государственный технический университет
c Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
d Институт геологии и минералогии им. В. С. Соболева СО РАН, г. Новосибирск
e Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург

Аннотация: Кристалл титанил арсената калия (KTiOAsO4, КТА) размером 50 × 80 × 60 мм выращен модернизированным методом Чохральского из раствор-расплава (TGGS) с понижением температуры от 900 до 770 °С в процессе вытягивания. Показано, что спектроскопические свойства участков кристаллов КТА, полученных при 900 и 770 °С, близки, тогда как электропроводность низкотемпературного (770 °C) участка КТА оказалась на порядок ниже, чем у высокотемпературного. Визуализация доменной структуры методом микроскопии генерации второй гармоники выявила более эффективное (сквозь образец) прорастание доменов в низкотемпературном КТА, что важно при изготовлении регулярной доменной структуры (РДС) в нелинейно-оптическом элементе на основе кристалла КТА. Установлено, что квантовая эффективность параметрической генерации света в РДС с использованием низкотемпературного КТА в несколько раз выше, чем при использовании высокотемпературного. Полученные результаты важны для оптимизации параметров РДС.

Ключевые слова: кристалл титанил арсената калия, спектры поглощения, регулярные доменные структуры, параметрическая генерация света.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-12-00085
Работа поддержана Российским научным фондом (грант № 19-12-00085).

Автор для корреспонденции

Полный текст: PDF файл (2146 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, 50:8, 788–792

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 09.02.2020
Исправленный вариант: 14.05.2020

Образец цитирования: Л. И. Исаенко, А. П. Елисеев, Д. Б. Колкер, В. Н. Веденяпин, С. А. Журков, Е. Ю. Ерушин, Н. Ю. Костюкова, А. А. Бойко, В. Я. Шур, А. Р. Ахматханов, М. А. Чувакова, “Влияние температуры выращивания монокристаллов KTiOAsO4 на их физико-химические параметры и формирование доменных структур”, Квантовая электроника, 50:8 (2020), 788–792 [Quantum Electron., 50:8 (2020), 788–792]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe17297
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v50/i8/p788

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:26
    Литература:4
    Первая стр.:5
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020