RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 7, страницы 597–600 (Mi qe1773)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

О механизме формирования локального расплава на поверхности монокристаллических полупроводников при мощном световом облучении

Я. В. Фаттахов, М. Ф. Галяутдинов, Т. Н. Львова, И. Б. Хайбуллин

Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, Казанского Научного Центра РАН

Аннотация: Исследована динамика анизотропного локального плавления монокристаллических полупроводников при облучении мощными импульсами когерентного и некогерентного света. Полученные in situ зависимости размеров и плотности (на единицу площади) локальных областей плавления от времени интерпретируются в рамках модели существования кратковременного метастабильного состояния, характеризующегося перегревом в твердой фазе. Обсуждаются эксперименты, необходимые для окончательного ответа на вопрос о механизме обнаруженного эффекта.

Полный текст: PDF файл (242 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2000, 30:7, 597–600

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 61.80.Ba, 61.82.Fk
Поступила в редакцию: 16.12.1999

Образец цитирования: Я. В. Фаттахов, М. Ф. Галяутдинов, Т. Н. Львова, И. Б. Хайбуллин, “О механизме формирования локального расплава на поверхности монокристаллических полупроводников при мощном световом облучении”, Квантовая электроника, 30:7 (2000), 597–600 [Quantum Electron., 30:7 (2000), 597–600]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe1773
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v30/i7/p597

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Farrakhov B.F., Fattakhov Ya.V., Galyautdinov M.F., Instrum. Exp. Tech., 62:2 (2019), 226–231  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:72
    Полный текст:60
    Первая стр.:2
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020