RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 11, страницы 963–969 (Mi qe1846)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Уравнение состояния вещества в модели среднего иона для лазерной плазмы

С. А. Бельков, С. В. Бондаренко, Е. И. Митрофанов

Российский федеральный ядерный центр — Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, г. Саров, Нижегор.обл.

Аннотация: Предложена термодинамически-согласованная модель расчета уравнения состояния плазмы в приближении среднего иона, учитывающая химические связи в твердом теле, давление электронных оболочек иона, возникающее при его сжатии, а также вырождение электронного газа при высоких плотностях и низких температурах. Расчеты ударного сжатия различных веществ, таких как жидкий дейтерий, Al, Be, Fe, Au, по этой модели показали, что она удовлетворительно описывает как имеющиеся экспериментальные результаты, так и результаты расчетов с использованием модели Томаса — Ферми в широком диапазоне давлений за фронтом ударной волны. Выполнено также сравнение изотерм указанных веществ в приближении среднего иона и в модели Томаса — Ферми для разных температур.

Полный текст: PDF файл (237 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2000, 30:11, 963–969

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 52.40.Nk, 05.70.Ce
Поступила в редакцию: 03.02.2000

Образец цитирования: С. А. Бельков, С. В. Бондаренко, Е. И. Митрофанов, “Уравнение состояния вещества в модели среднего иона для лазерной плазмы”, Квантовая электроника, 30:11 (2000), 963–969 [Quantum Electron., 30:11 (2000), 963–969]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe1846
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v30/i11/p963

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. С. Г. Гаранин, УФН, 181:4 (2011), 434–441  mathnet  crossref  adsnasa; S. G. Garanin, Phys. Usp., 54:4 (2011), 415–421  crossref  isi
    2. С. А. Бельков, О. О. Шаров, Квантовая электроника, 41:10 (2011), 901–905  mathnet  adsnasa  elib; Quantum Electron., 41:10 (2011), 901–905  crossref  isi
    3. Ali A., Naz G.Sh., Shahzad M.S., Kouser R., Aman-ur-Rehman, Nasim M.H., High Energy Density Phys., 26 (2018), 48–55  crossref  isi  scopus
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:146
    Полный текст:92
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021