RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 12, страницы 1107–1108 (Mi qe1878)  

Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Изолятор Фарадея с развязкой 45 дБ при средней мощности излучения 100 Вт

Н. Ф. Андреевa, О. В. Палашовa, А. К. Потемкинa, Д. Х. Райтциb, А. М. Сергеевa, Е. А. Хазановa

a Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
b University of Florida, USA

Аннотация: Экспериментально продемонстрировано, что при большой средней мощности излучения развязка в недавно предложенной схеме изолятора Фарадея значительно больше, чем в традиционной схеме. Создан изолятор Фарадея с развязкой 45 дБ при мощности излучения 100 Вт. Полученные данные свидетельствуют о возможности создания изолятора с развязкой 30 дБ при средней мощности лазерного излучения 1 кВт.

Полный текст: PDF файл (108 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2000, 30:12, 1107–1108

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 85.70.Sq, 42.79.Ci
Поступила в редакцию: 14.09.2000

Образец цитирования: Н. Ф. Андреев, О. В. Палашов, А. К. Потемкин, Д. Х. Райтци, А. М. Сергеев, Е. А. Хазанов, “Изолятор Фарадея с развязкой 45 дБ при средней мощности излучения 100 Вт”, Квантовая электроника, 30:12 (2000), 1107–1108 [Quantum Electron., 30:12 (2000), 1107–1108]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe1878
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v30/i12/p1107

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Д. С. Железнов, В. В. Зеленогорский, Е. В. Катин, И. Б. Мухин, О. В. Палашов, Е. А. Хазанов, Квантовая электроника, 40:3 (2010), 276–281  mathnet  adsnasa  elib; Quantum Electron., 40:3 (2010), 276–281  crossref  isi
    2. Snetkov I., Mukhin I., Palashov O., Khazanov E., Opt. Express, 19:7 (2011), 6374–6384  crossref  adsnasa  isi  scopus
    3. Zheleznov D.S., Starobor A.V., Palashov O.V., Khazanov E.A., J. Opt. Soc. Am. B-Opt. Phys., 29:4 (2012), 786–792  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    4. Е. А. Миронов, И. Л. Снетков, А. В. Войтович, О. В. Палашов, Квантовая электроника, 43:8 (2013), 740–743  mathnet  adsnasa  elib; Quantum Electron., 43:8 (2013), 740–743  crossref  isi
    5. Snetkov I.L., Voitovich A.V., Palashov O.V., Khazanov E.A., IEEE J. Quantum Electron., 50:6 (2014), 434–443  crossref  isi  elib  scopus
    6. Furuse H., Yasuhara R., Hiraga K., Zhou Sh., Opt. Mater. Express, 6:1 (2016), 191–196  crossref  isi  scopus
    7. Е. А. Хазанов, УФН, 186:9 (2016), 975–1000  mathnet  crossref  adsnasa  elib; E. A. Khazanov, Phys. Usp., 59:9 (2016), 886–909  crossref  isi
    8. Khazanov E.A. Sergeev A.M., J. Opt. Technol., 84:10 (2017), 710–717  crossref  isi  scopus
    9. Ding Sh., Zhang Q., Liu W., Luo J., Sun G., Sun D., J. Cryst. Growth, 483 (2018), 110–114  crossref  isi  scopus
    10. Snetkov I.L., IEEE J. Quantum Electron., 54:2 (2018), 7000108  crossref  isi  scopus
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:128
    Полный текст:69
    Первая стр.:2
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020