RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 3, страницы 263–267 (Mi qe1929)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Селективная ИК многофотонная диссоциация CF3I в неравновесных условиях скачка уплотнения

Г. Н. Макаровa, С. А. Мочаловa, А. Н. Петинb

a Институт спектроскопии РАН, Москва, г. Троицк
b ГНЦ РФ – Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований

Аннотация: Исследована изотопически-селективная ИК многофотонная диссоциация CF3I в неравновесных условиях скачка уплотнения, формирующегося при взаимодействии импульсного газодинамически охлажденного молекулярного потока с твердой поверхностью. В экспериментах измерялся выход продукта C2F6 и коэффициент обогащения eго изотопом 13C. Получены времяпролетные спектры CF3I в потоке, взаимодействующем с поверхностью, а также в невозмущенном потоке. Изучены спектральные зависимости выхода продукта C2F6 в невозмущенном потоке и в скачке уплотнения, а также селективность процесса. Показано, что за счет формирования скачка уплотнения можно существенно увеличить эффективность изотопически-селективной диссоциации молекул. Обсуждаются причины наблюдаемых результатов.

Полный текст: PDF файл (191 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2001, 31:3, 263–267

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 33.80.-b, 42.62.Fi, 82.40.Fp, 82.50.Pt
Поступила в редакцию: 12.10.2000
Исправленный вариант: 20.12.2000

Образец цитирования: Г. Н. Макаров, С. А. Мочалов, А. Н. Петин, “Селективная ИК многофотонная диссоциация CF3I в неравновесных условиях скачка уплотнения”, Квантовая электроника, 31:3 (2001), 263–267 [Quantum Electron., 31:3 (2001), 263–267]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe1929
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v31/i3/p263

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Г. Н. Макаров, УФН, 173:9 (2003), 913–940  mathnet  crossref; Phys. Usp., 46:9 (2003), 889–914  crossref  isi
    2. Г. Н. Макаров, УФН, 175:1 (2005), 41–84  mathnet  crossref  adsnasa; G. N. Makarov, Phys. Usp., 48:1 (2005), 37–76  crossref  isi
    3. Г. Н. Макаров, УФН, 185:7 (2015), 717–751  mathnet  crossref  adsnasa  elib; G. N. Makarov, Phys. Usp., 58:7 (2015), 670–700  crossref  isi  elib
    4. Г. Н. Макаров, А. Н. Петин, Квантовая электроника, 46:3 (2016), 248–254  mathnet  elib; Quantum Electron., 46:3 (2016), 248–254  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:112
    Полный текст:47
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020