RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 12, страницы 1079–1083 (Mi qe2103)  

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Образование двухзарядных ионов при ионизации атомов Ba в двух лазерных полях

И. И. Бондарь, В. В. Суран

Ужгородский национальный университет, физический факультет, г. Ужгород

Аннотация: Экспериментально исследовано образование двухзарядных ионов при многофотонной ионизации атомов Ва под одновременным воздействием двух излучений: основного излучения лазера на центрах окраски (ω = 8800–8880 см-1) и его второй гармоники. Показано, что механизм образования этих ионов является двухэлектронным.

Полный текст: PDF файл (132 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2001, 31:12, 1079–1083

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 32.80.Rm
Поступила в редакцию: 26.07.2001

Образец цитирования: И. И. Бондарь, В. В. Суран, “Образование двухзарядных ионов при ионизации атомов Ba в двух лазерных полях”, Квантовая электроника, 31:12 (2001), 1079–1083 [Quantum Electron., 31:12 (2001), 1079–1083]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe2103
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v31/i12/p1079

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:94
    Полный текст:52
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020