RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 11, страницы 1008–1016 (Mi qe217)  

Лазеры и усилители

Влияние косых скачков уплотнения и внутрирезонаторных поглощающих зон на характеристики излучения СO2-ГДЛ с широкоапертурным неустойчивым резонатором

В. Н. Меркушенков, В. И. Чесноков

Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований

Аннотация: В трехмерном случае численно решена задача о распределении комплексной амплитуды электромагнитного поля в объеме активного широкоапертурного неустойчивого резонатора СO2-ГДЛ с большими числами Френеля NF ~200. В основу численного интегрирования параксиального волнового уравнения положен метод приближенного вычисления двумерного интеграла Кирхгофа по специально разработанным квадратурным формулам повышенного порядка точности. Разработанный численный метод использован для теоретических исследований влияния косых скачков уплотнения в активной среде и поглощающих внутрирезонаторных зон на характеристики выходного излучения СО2-ГДЛ. Для описания кинетики колебательной релаксации применялась достаточно полная трехтемпературная модель совместно с уравнениями неравновесной газовой динамики в струйном приближении.

Полный текст: PDF файл (285 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1994, 24:11, 936–944

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Da
Поступила в редакцию: 14.02.1994

Образец цитирования: В. Н. Меркушенков, В. И. Чесноков, “Влияние косых скачков уплотнения и внутрирезонаторных поглощающих зон на характеристики излучения СO2-ГДЛ с широкоапертурным неустойчивым резонатором”, Квантовая электроника, 21:11 (1994), 1008–1016 [Quantum Electron., 24:11 (1994), 936–944]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe217
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v21/i11/p1008

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:72
    Полный текст:49
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020