RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 5, страницы 455–459 (Mi qe2218)  

Управление параметрами лазерного излучения

Спектр антистоксова комбинационного ионного лазера в Λ-схемах с различными параметрами уровней

С. А. Бабин, С. И. Каблуков, С. М. Кобцев, В. В. Потапов, Д. В. Чуркин

Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследована зависимость мощности генерации комбинационного лазера в режиме стоячей волны от частоты накачки, находящейся вблизи резонанса с ионными уровнями. Проведено сравнение спектра излучения в двух Λ-схемах ArII, различающихся временем жизни конечного уровня. В схеме с долгоживущим конечным уровнем при точном резонансе наблюдается резкий пик с амплитудой, превышающей в 1.5–2 раза амплитуду широкого контура, а в схеме с короткоживущим конечным уровнем спектральная особенность вблизи резонанса не наблюдается. Проведен анализ эффекта на основе модели, учитывающей кулоновское рассеяние ионов. Показано, что пик формируется из-за различного уширения беннетовских структур в распределении населенности рабочих уровней по скоростям. Во второй Λ-схеме вклад конечного уровня оказывается малым по амплитуде и резкий пик в спектре исчезает в соответствии с предсказаниями модели.

Полный текст: PDF файл (161 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2002, 32:5, 455–459

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Lt, 42.65.Dr
Поступила в редакцию: 20.02.2002

Образец цитирования: С. А. Бабин, С. И. Каблуков, С. М. Кобцев, В. В. Потапов, Д. В. Чуркин, “Спектр антистоксова комбинационного ионного лазера в Λ-схемах с различными параметрами уровней”, Квантовая электроника, 32:5 (2002), 455–459 [Quantum Electron., 32:5 (2002), 455–459]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe2218
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v32/i5/p455

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:47
    Полный текст:32
    Первая стр.:1

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019