RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 8, страницы 659–662 (Mi qe2266)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Активные среды. Лазеры

Агрегатные центры окраски в примесных кристаллах LiF

Т. Т. Басиевa, А. Я. Карасикa, В. А. Конюшкинa, А. Г. Папашвилиa, К. К. Пуховa, И. В. Ермаковb, В. Геллерманнb

a Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
b Department of Physics, University of Utah, USA

Аннотация: Исследованы кристаллы LiF с центрами окраски (ЦО), имеющими бесфононную линию (БФЛ) поглощения и люминесценции с длиной волны λ = 1080 нм. При температуре T = 10 К ЦО имеют время затухания люминесценции 260–280 нс, полуширину БФЛ 4.7 см-1 и характеризуются слабым электрон-фононным взаимодействием (параметр Хуанга–Риса S < 0.11). Поляризационный анализ люминесценции показал, что дипольные моменты перехода ЦО ориентированы в направлении осей кристалла [100], [010] и [001]. Модель агрегатных F4-ЦО, имеющих пространственную структуру с тремя осями симметрии C2, может хорошо соответствовать исследованным ЦО.

Полный текст: PDF файл (141 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2002, 32:8, 659–662

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.70.Hj, 61.72.Ji
Поступила в редакцию: 22.04.2002

Образец цитирования: Т. Т. Басиев, А. Я. Карасик, В. А. Конюшкин, А. Г. Папашвили, К. К. Пухов, И. В. Ермаков, В. Геллерманн, “Агрегатные центры окраски в примесных кристаллах LiF”, Квантовая электроника, 32:8 (2002), 659–662 [Quantum Electron., 32:8 (2002), 659–662]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe2266
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v32/i8/p659

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. А. Г. Папашвили, С. Н. Сметанин, М. Е. Дорошенко, Квантовая электроника, 45:12 (2015), 1111–1116  mathnet  elib; Quantum Electron., 45:12 (2015), 1111–1116  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:118
    Полный текст:36
    Первая стр.:1

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019