RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 8, страницы 683–688 (Mi qe2271)  

Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Активные среды. Лазеры

Новые диодные лазеры с вытекающим излучением в оптическом резонаторе

В. И. Швейкин, В. А. Геловани

ГП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

Аннотация: Представлен новый тип широкоапертурного мощного и высокоэффективного полупроводникового лазера с вовлечённым в лазерную генерацию излучением, вытекающим из активной области. Описан принцип его работы. Впервые созданы одномодовые полупроводниковые лазеры с выходными апертурами на оптической грани 5 × 6 мкм, 7 × 7.5 мкм и 10 × 10 мкм и дифракционными углами расходимости излучения от 6.9° до 12° в вертикальной плоскости и от 3.3° до 7.8° в горизонтальной. На длине волны 980 нм получена мощность излучения 0.5 Вт в непрерывном одномодовом и одночастотном режиме с дифракционными углами расходимости в горизонтальной и вертикальной плоскостях 5.7° и 12.3°. В многомодовом режиме при ширинах гребня 10 и 50 мкм получены мощности излучения 1.3 и 3.0 Вт соответственно с малыми углами расходимости.

Полный текст: PDF файл (149 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2002, 32:8, 683–688

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.60.Jf
Поступила в редакцию: 22.04.2002

Образец цитирования: В. И. Швейкин, В. А. Геловани, “Новые диодные лазеры с вытекающим излучением в оптическом резонаторе”, Квантовая электроника, 32:8 (2002), 683–688 [Quantum Electron., 32:8 (2002), 683–688]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe2271
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v32/i8/p683

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, N. V. Fetisova, M. A. Khomylev, A. A. Marmalyuk, D. B. Nikitin, A. A. Padalitsa, P. V. Bulaev, I. D. Zalevskii, I. S. Tarasov, “Laser diodes (λ=0.98 μm) with a narrow radiation pattern and low internal optical losses”, Tech Phys Lett, 29:12 (2003), 980  crossref  adsnasa  isi  scopus
    2. S. O. Slipchenko, D. A. Vinokurov, N. A. Pikhtin, Z. N. Sokolova, A. L. Stankevich, I. S. Tarasov, Zh. I. Alferov, “Ultralow internal optical loss in separate-confinement quantum-well laser heterostructures”, Semicond, 38:12 (2004), 1430  crossref  adsnasa  isi  scopus
    3. D. A. Vinokurov, S. A. Zorina, V. A. Kapitonov, A. V. Murashova, D. N. Nikolaev, A. L. Stankevich, M. A. Khomylev, V. V. Shamakhov, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, “High-power laser diodes based on asymmetric separate-confinement heterostructures”, Semicond, 39:3 (2005), 370  crossref  mathscinet  adsnasa  isi  elib  scopus
    4. V. I. Gverdtsiteli, A. G. Rzhanov, “Simulation of multilayer injection lasers with internal emission leaking”, Bull Lebedev Phys Inst, 36:11 (2009), 337  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    5. N Yu Gordeev, I I Novikov, A V Chunareva, N D Il'inskaya, Yu M Shernyakov, M V Maximov, A S Payusov, N A Kalyuzhnyy, S A Mintairov, V M Lantratov, “Edge-emitting InGaAs/GaAs laser with high temperature stability of wavelength and threshold current”, Semicond Sci Technol, 25:4 (2010), 045003  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    6. И. С. Тарасов, Квантовая электроника, 40:8 (2010), 661–681  mathnet  adsnasa  elib; Quantum Electron., 40:8 (2010), 661–681  crossref  isi
    7. S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, A. Yu. Leshko, A. V. Rozhkov, “Semiconductor InGaAs/GaAs injection lasers with waveguides based on a single quantum well”, Tech. Phys. Lett, 39:4 (2013), 364  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    8. A. A. Marmalyuk, A. Yu. Andreev, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, “Laser emitters (λ = 808 nm) based on AlGaAs/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 48:1 (2014), 115  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    9. T.N. Smirnova, O.V. Sakhno, V.M. Fitio, Yuri Gritsai, Joachim Stumpe, “Simple and high performance DFB laser based on dye-doped nanocomposite volume gratings”, Laser Phys. Lett, 11:12 (2014), 125804  crossref  isi  elib  scopus
    10. Samartsev I.V. Aleshkin V.Ya. Dikareva N.V. Dubinov A.A. Zvonkov B.N. Kolpakov D.A. Nekorkin S.M., “Optimization of Ingap/Gaas/Ingaas Heterolasers With Tunnel-Coupled Waveguides”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1571–1574  crossref  isi  scopus
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:183
    Полный текст:56
    Первая стр.:1

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019