RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 8, страницы 717–721 (Mi qe2278)  

Нелинейно-оптические явления

Особенности вынужденного рассеяния излучения XeCl-лазера в гептане

В. Я. Артюховa, Н. Г. Ивановb, В. Ф. Лосевb, С. В. Николаевa, Ю. Н. Панченкоb

a Сибирский физико-технический институт, г. Томск
b Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск

Аннотация: Исследована эффективность вынужденного рассеяния (ВР) в гептане. Проанализированы причины сокращения длительности отраженного импульса и уменьшения коэффициента отражения с увеличением ширины спектральной линии излучения накачки. Для объяснения снижения эффективности ВР предложен механизм фотодиссоциации молекул нелинейной среды.

Полный текст: PDF файл (174 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2002, 32:8, 717–721

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.65.Es, 42.55.Lt, 33.80.Gj
Поступила в редакцию: 19.04.2002

Образец цитирования: В. Я. Артюхов, Н. Г. Иванов, В. Ф. Лосев, С. В. Николаев, Ю. Н. Панченко, “Особенности вынужденного рассеяния излучения XeCl-лазера в гептане”, Квантовая электроника, 32:8 (2002), 717–721 [Quantum Electron., 32:8 (2002), 717–721]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe2278
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v32/i8/p717

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
    Исправления
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:37
    Полный текст:27
    Первая стр.:1

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019