RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 8, страница 750 (Mi qe2286)  

Поправка

Поправка к статье: Импульсный лазер на первом колебательном обертоне молекулы СО, действующий в спектральном диапазоне 2.5 – 4.2 мкм. 3. Коэффициент усиления и кинетические процессы на высоких колебательных уровнях

Н. Г. Басов, А. А. Ионин, Ю. М. Климачев, А. А. Котков, А. К. Курносов, Д. Е. Маккорд, А. П. Напартович, Л. В. Селезнев, Д. В. Синицын, Г. Д. Хагер, С. Л. Шнырев


Полный текст: PDF файл (61 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2002, 32:8

Тип публикации: Письмо в редакцию, исправление

Образец цитирования: Н. Г. Басов, А. А. Ионин, Ю. М. Климачев, А. А. Котков, А. К. Курносов, Д. Е. Маккорд, А. П. Напартович, Л. В. Селезнев, Д. В. Синицын, Г. Д. Хагер, С. Л. Шнырев, “Поправка к статье: Импульсный лазер на первом колебательном обертоне молекулы СО, действующий в спектральном диапазоне 2.5 – 4.2 мкм. 3. Коэффициент усиления и кинетические процессы на высоких колебательных уровнях”, Квантовая электроника, 32:8 (2002), 750

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe2286
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v32/i8/p750

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
    Исправление к статье
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:65
    Полный текст:26
    Первая стр.:1

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019