RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2003, том 33, номер 11, страницы 981–986 (Mi qe2534)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Формирование ионного тока высокотемпературной фемтосекундной лазерной плазмы на поверхности мишени, содержащей примесный слой

Р. В. Волковa, Д. М. Голишниковb, В. М. Гордиенкоb, М. С. Джиджоевb, И. М. Лачкоb, Б. В. Марьинc, П. М. Михеевb, А. Б. Савельевb, Д. С. Урюпинаb, А. А. Шашковb

a Международный учебно-научный лазерный центр МГУ им. М. В. Ломоносова
b Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
c НИИ ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, МГУ им. М. В. Ломоносова

Аннотация: С использованием времяпролетной и масс-спектрометрической методик исследовано влияние примесной пленки на поверхности мишени, находящейся в вакууме до 10-5 Тор, на ускорение ионов в плазме, формируемой фемтосекундным лазерным импульсом интенсивностью 2 × 1016 Вт/см2. Показано, что наибольшую среднюю энергию на единицу заряда (8.5 кэВ) получают в такой ситуации протоны, в то время как ионы, составляющие вещество мишени (Si, Ti), получают энергию на единицу заряда, не превышающую 1 кэВ. Использование лазерного импульса наносекундной длительности с плотностью энергии менее 10 Дж/см2, опережающего фемтосекундный лазерный импульс на 0.1–100 мс, позволило эффективно очищать поверхность мишени за счет удаления с нее молекул, содержащих водород, углерод и кислород. В отличие от непрерывного теплового нагрева поверхности лазерная импульсная очистка обеспечивает большие температуры нагрева и может эффективно применяться для любых твердотельных мишеней в режиме как тепловой, так и плазменной очистки.

Полный текст: PDF файл (237 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2003, 33:11, 981–986

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 52.38.Kd, 52.70.Nc, 52.77.Bn
Поступила в редакцию: 22.05.2003
Исправленный вариант: 04.09.2003

Образец цитирования: Р. В. Волков, Д. М. Голишников, В. М. Гордиенко, М. С. Джиджоев, И. М. Лачко, Б. В. Марьин, П. М. Михеев, А. Б. Савельев, Д. С. Урюпина, А. А. Шашков, “Формирование ионного тока высокотемпературной фемтосекундной лазерной плазмы на поверхности мишени, содержащей примесный слой”, Квантовая электроника, 33:11 (2003), 981–986 [Quantum Electron., 33:11 (2003), 981–986]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe2534
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v33/i11/p981

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Р. В. Волков, В. М. Гордиенко, И. М. Лачко, А. Б. Савельев, Д. С. Урюпина, Письма в ЖЭТФ, 81:11 (2005), 708–711  mathnet; JETP Letters, 81:11 (2005), 575–578  crossref  isi
    2. V. M. Gordienko, I. M. Lachko, A. A. Rusanov, A. B. Savel’ev, D. S. Uryupina, R. V. Volkov, Appl Phys B, 80:6 (2005), 733  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    3. R. V. Volkov, V. M. Gordienko, I. M. Lachko, A. A. Rusanov, A. B. Savel’ev, D. S. Uryupina, Sov Phys JETP, 103:2 (2006), 303  crossref  mathscinet  adsnasa  isi  scopus
    4. Р. В. Волков, В. М. Гордиенко, И. М. Лачко, А. Б. Савельев, Д. С. Урюпина, Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007), 27–31  mathnet; JETP Letters, 85:1 (2007), 23–26  crossref  isi
    5. Gareth O. Williams, Sébastian Favre, Gerard M. O’Connor, Appl Phys Lett, 94:10 (2009), 101503  crossref  isi  scopus
    6. S. G. Bochkarev, G. V. Golovin, D. S. Uryupina, S. A. Shulyapov, A. V. Andriyash, V. Yu. Bychenkov, A. B. Savel'ev, Phys. Plasmas, 19:10 (2012), 103101  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    7. С. А. Шуляпов, И. М. Мордвинцев, К. А. Иванов, Р. В. Волков, П. И. Зарубин, И. Амброзова, К. Турек, А. Б. Савельев, Квантовая электроника, 46:5 (2016), 432–436  mathnet  elib; Quantum Electron., 46:5 (2016), 432–436  crossref  isi
    8. Rahman M.M., Balki O., Elsayed-Ali H.E., Opt. Laser Technol., 111 (2019), 762–769  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:132
    Полный текст:69
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020