RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1971, номер 2, страницы 94–96 (Mi qe3048)  

Краткие сообщения

Параметры инжекционных лазеров, изготовленных из арсенида галлия с различной плотностью дислокаций

В. Б. Освенский, Г. П. Прошко, С. М. Сизов


Аннотация: Исследовано влияние ростовых дислокаций на ваттамперные характеристики инжекционных лазеров на арсениде галлия, легированном теллуром до концентрации носителей (1–3) · 1018 см–3. Приборы изготавливались из участков пластин с плотностью дислокаций от 102 до 105 см–2. Установлено, что оптическая неоднородность пластин не связана с распределением дислокаций в объеме материала. Не обнаружено однозначной связи между величиной плотности дислокаций в исходном кристалле и параметрами приборов (импульсной мощностью излучения, к. п. д., пороговой плотностью тока).

Полный текст: PDF файл (618 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1971, 1:2, 186–188

Тип публикации: Статья
УДК: 21.378.35
PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Jf, 42.60.Lh, 61.72.Hh
Поступила в редакцию: 21.09.1970

Образец цитирования: В. Б. Освенский, Г. П. Прошко, С. М. Сизов, “Параметры инжекционных лазеров, изготовленных из арсенида галлия с различной плотностью дислокаций”, Квантовая электроника, 2 (1971), 94–96 [Sov J Quantum Electron, 1:2 (1971), 186–188]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe3048
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/y1971/i2/p94

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:63
    Полный текст:35
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020