RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 7, страницы 705–706 (Mi qe3133)  

Управление параметрами лазерного излучения

Влияние резонансной среды на поляризацию светового импульса

Т. Ш. Абесадзе, З. А. Цикоридзе

Тбилисский государственный университет им. Ив. Джавахишвили

Аннотация: Рассмотрено распространение 2π-импульса в ансамбле парамагнитных ионов, помещенных в магнитное поле. Показано, что в поворот направления поляризации светового импульса вносит вклад парамагнитная часть магнитооптической активности среды. Показано также, что, меняя насыщение магнитного резонанса, можно управлять углом Фарадея прошедшего через среду 2π-импульса.

Полный текст: PDF файл (81 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1993, 23:7, 611–612

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 535.345.1
PACS: 32.60.+i, 32.80.-t
Поступила в редакцию: 05.03.1993

Образец цитирования: Т. Ш. Абесадзе, З. А. Цикоридзе, “Влияние резонансной среды на поляризацию светового импульса”, Квантовая электроника, 20:7 (1993), 705–706 [Quantum Electron., 23:7 (1993), 611–612]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe3133
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v20/i7/p705

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:59
    Полный текст:38
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020