|
Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники
Выявление локальных характеристик кристаллического совершенства и ориентации полупроводниковых пленок CdTe методами нелинейной оптики
В. В. Баланюкa, В. Ф. Красновa, С. Л. Мушерa, В. И. Процьa, В. Э. Рябченкоa, С. А. Стоянов, С. Г. Струцa, М. Ф. Ступакa, В. С. Сыскинa a Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Исследовано локальное кристаллическое качество эпитаксиальных пленок CdTe с использованием ГВГ YAP:Nd-лазера в геометрии 'на просвет'. Показаны возможности применения созданного автоматизированного лазерного комплекса для локальной экспресc-диагностики кристаллического качества эпитаксиальных пленок.
Полный текст:
PDF файл (270 kB)
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1995, 25:2, 183–186
Реферативные базы данных:
Тип публикации:
Статья
PACS:
78.66.Fd, 42.65.Ky, 07.60.-j Поступила в редакцию: 31.12.1995
Образец цитирования:
В. В. Баланюк, В. Ф. Краснов, С. Л. Мушер, В. И. Проць, В. Э. Рябченко, С. А. Стоянов, С. Г. Струц, М. Ф. Ступак, В. С. Сыскин, “Выявление локальных характеристик кристаллического совершенства и ориентации полупроводниковых пленок CdTe методами нелинейной оптики”, Квантовая электроника, 22:2 (1995), 196–200 [Quantum Electron., 25:2 (1995), 183–186]
Образцы ссылок на эту страницу:
http://mi.mathnet.ru/qe320 http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v22/i2/p196
Citing articles on Google Scholar:
Russian citations,
English citations
Related articles on Google Scholar:
Russian articles,
English articles
|
Просмотров: |
Эта страница: | 78 | Полный текст: | 68 |
|