 |
|
|
|
|
|
Краткие сообщения Зависимость порога генерации инжекционных лазеров от длительности импульсов тока накачки В. А. Горбылев, Г. Т. Пак, А. И. Петров, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин, И. В. Яшумов Аннотация: Экспериментально исследована зависимость порога генерации инжекционных лазеров с диффузионными и гетеропереходами в системе GaAs–AlAs от длительности импульсов тока накачки в интервале 2–100 нсек. Определены величины эффективного времени жизни инжектируемых электронов для трех типов лазеров: с диффузионным р–n-переходом ( ~ 1 нсек), с одним гетеропереходом (~2,5 нсек) и с двумя гетеропереходами (3–6 нсек).  Полный текст:
PDF файл (416 kB)
Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1972, 1:5, 
Тип публикации: Статья УДК: 621.378.35 PACS: 42.55.Px, 42.55.Ah, 42.65.Re, 42.60.Jf Поступила в редакцию: 22.02.1971 Исправленный вариант: 06.05.1971 Образец цитирования: В. А. Горбылев, Г. Т. Пак, А. И. Петров, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин, И. В. Яшумов, “Зависимость порога генерации инжекционных лазеров от длительности импульсов тока накачки”, Квантовая электроника, 5 (1971), Образцы ссылок на эту страницу:
Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Обратная связь: |
 Пользовательское соглашение
|
Регистрация |
Логотипы |
|