|
Квантовая электроника, 1971, номер 5, страницы 99–101
(Mi qe3257)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Внутренние параметры инжекционных лазеров при 300°K
Г. Т. Пак, А. И. Петров, Е. Г. Файнбойм, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин, И. В. Яшумов
Аннотация:
Описываются результаты экспериментальных исследований основных параметров активной области инжекционных лазеров на основе диффузионных и эпитаксиальных р–n-переходов и гетеропереходов в системе GaAs–AlAs. Показано, что гетеролазеры с двусторонним ограничением обладают более хорошими характеристиками: удельный коэффициент усиления 1С–2 см/а, плотность тока инверсии 2,1 ка/см2, потери 26 см–1.
Полный текст:
PDF файл (518 kB)
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1972, 1:5, 508–509
Тип публикации:
Статья
УДК:
621.378.35
PACS:
42.55.Px, 42.60.Jf, 42.60.Lh Поступила в редакцию: 02.04.1971
Образец цитирования:
Г. Т. Пак, А. И. Петров, Е. Г. Файнбойм, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин, И. В. Яшумов, “Внутренние параметры инжекционных лазеров при 300°K”, Квантовая электроника, 5 (1971), 99–101 [Sov J Quantum Electron, 1:5 (1972), 508–509]
Образцы ссылок на эту страницу:
http://mi.mathnet.ru/qe3257 http://mi.mathnet.ru/rus/qe/y1971/i5/p99
Citing articles on Google Scholar:
Russian citations,
English citations
Related articles on Google Scholar:
Russian articles,
English articles
|
Просмотров: |
Эта страница: | 69 | Полный текст: | 33 |
|