Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1992, том 19, номер 11, страницы 1047–1054 (Mi qe3645)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Лазеры

Исследование XeF-лазера с оптической накачкой излучением поверхностных разрядов

В. С. Зуев, Г. Н. Кашников, С. Б. Мамаев

Научно-производственное объединение "Астрофизика", Москва

Аннотация: Изучены пространственные, временные и спектральные характеристики XeF-лазера видимого (0,48 мкм) и УФ (0,35 мкм) диапазонов спектра. Экспериментально определены зависимости энергии генерации от давления паров исходного XeF2 для различных конфигураций источника оптической накачки и добротностей резонаторов. Достигнута энергия генерации 117 Дж на C–A- и 174 Дж на B–X-переходах молекулы XeF с внутренними КПД 2,6 и 3,6 % соответственно. Изучена направленность излучения XeF(C–A)-лазера при образовании волн фотолиза различных форм в активных средах. Осуществлена перестройка длины волны генерации в видимом диапазоне спектра. Исследованы излучательные характеристики открытых сильноточных секционированных поверхностных разрядов при различных скоростях ввода энергии в плазму в рабочих средах ХеF-лазеров.

Полный текст: PDF файл (3136 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1992, 22:11, 973–979

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823:621.3.038.84
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Jf, 42.60.Lh, 52.80.-s, 42.60.Gd, 33.80.Be
Поступила в редакцию: 19.05.1992

Образец цитирования: В. С. Зуев, Г. Н. Кашников, С. Б. Мамаев, “Исследование XeF-лазера с оптической накачкой излучением поверхностных разрядов”, Квантовая электроника, 19:11 (1992), 1047–1054 [Sov J Quantum Electron, 22:11 (1992), 973–979]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe3645
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v19/i11/p1047

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Mikheev L.D., Tcheremiskine V.I., Uteza O.P., Sentis M.L., Prog. Quantum Electron., 36:1, SI (2012), 98–142  crossref  isi
    2. Yastremskii A.G. Ivanov N.G. Losev V.F. Panchenko Yu.N., Xx International Symposium on High-Power Laser Systems and Applications 2014, Proceedings of Spie, 9255, ed. Tang C. Chen S. Tang X., Spie-Int Soc Optical Engineering, 2015, 925528  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:77
    Полный текст:54
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021