RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 5, страницы 485–487 (Mi qe388)  

Активные среды

Влияние турбулентной диффузии на усиление излучения в секционированной разрядной камере быстропроточного СО2-лазера

М. Г. Галушкин, В. С. Голубев, В. Е. Завалова, О. А. Новодворский, В. Я. Панченко

Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам РАН, г. Шатура Моск. обл.

Аннотация: Экспериментально и теоретически исследована турбулентная диффузия в технологическом СО2-лазере с перекрещенными электродами. Показано, что диффузионное движение частиц существенно уменьшает пространственную неоднородность коэффициента усиления. На основе полученных данных предложена новая методика определения коэффициента турбулентной диффузии.

Полный текст: PDF файл (186 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1995, 25:5, 461–463

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh
Поступила в редакцию: 08.09.1994

Образец цитирования: М. Г. Галушкин, В. С. Голубев, В. Е. Завалова, О. А. Новодворский, В. Я. Панченко, “Влияние турбулентной диффузии на усиление излучения в секционированной разрядной камере быстропроточного СО2-лазера”, Квантовая электроника, 22:5 (1995), 485–487 [Quantum Electron., 25:5 (1995), 461–463]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe388
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v22/i5/p485

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:98
    Полный текст:66
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021