RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 7, страницы 1425–1430 (Mi qe4373)  

Исследование лазерного фотоотрыва ионов родамина 6G от адсорбированных слоев различной толщины

В. Г. Мовшев, С. В. Чекалин

Институт спектроскопии АН СССР, Москва

Аннотация: Представлены результаты экспериментов по фотоотрыву ионов родамина, нанесенных слоями различной толщины на вольфрамовую подложку. В качестве источника излучения использовался лазер ультракоротких импульсов, работающий на длинах волн 1,06; 0,53 или 0,26 мкм. Показано, что в случае субмонослоя образование ионов родамина носит тепловой характер.

Полный текст: PDF файл (1061 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:7, 925–928

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826
PACS: 82.65.My, 79.20.Ds
Поступила в редакцию: 16.08.1982

Образец цитирования: В. Г. Мовшев, С. В. Чекалин, “Исследование лазерного фотоотрыва ионов родамина 6G от адсорбированных слоев различной толщины”, Квантовая электроника, 10:7 (1983), 1425–1430 [Sov J Quantum Electron, 13:7 (1983), 925–928]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe4373
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v10/i7/p1425

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:78
    Полный текст:54
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020