RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 9, страницы 913–918 (Mi qe493)  

Активные среды

Динамика усиления слабого сигнала в активных средах пеннинговских лазеров на NeI

Д. А. Заярный, И. В. Холин

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва

Аннотация: Методом прямого лазерного зондирования исследован временной ход коэффициентов усиления слабого сигнала в активных средах лазеров на переходах 3p–3s атома NeI, накачиваемых электронным пучком с плотностью тока 1.7 А/см2. В оптимизированных по энергосъему лазерных смесях амплитуды коэффициентов усиления составили 1.7·10-2 и 1.0·10-2 см-1 на длинах волн 725 и 585 нм соответственно.

Полный текст: PDF файл (230 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1995, 25:9, 881–886

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Da
Поступила в редакцию: 23.05.1995

Образец цитирования: Д. А. Заярный, И. В. Холин, “Динамика усиления слабого сигнала в активных средах пеннинговских лазеров на NeI”, Квантовая электроника, 22:9 (1995), 913–918 [Quantum Electron., 25:9 (1995), 881–886]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe493
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v22/i9/p913

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:74
    Полный текст:59
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020