RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1973, номер 2(14), страницы 71–74 (Mi qe5062)  

Краткие сообщения

Оптическая прочность поверхности прозрачного диэлектрика

Ю. Н. Лохов, В. С. Моспанов, Ю. Д. Фивейский


Аннотация: Развивается динамическая теория оптической прочности диэлектрика при действии импульса наносекундной длительности. Показано, что важную роль при этом играет поверхностное поглощение. Оно дает главный вклад в термоупругие напряжения по сравнению со стрикцией и объемным поглощением. Предложен механизм разрушения задней торцевой поверхности под действием термоупругих напряжений. Вычислена мощность импульса, разрушающего поверхность.

Полный текст: PDF файл (612 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1973, 3:2, 132–133

Тип публикации: Статья
УДК: 535.211
PACS: 62.20.Dc, 81.40.Jj, 68.35.Gy, 78.68.+m
Поступила в редакцию: 31.05.1972

Образец цитирования: Ю. Н. Лохов, В. С. Моспанов, Ю. Д. Фивейский, “Оптическая прочность поверхности прозрачного диэлектрика”, Квантовая электроника, 2 (1973), 71–74 [Sov J Quantum Electron, 3:2 (1973), 132–133]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe5062
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/y1973/i2/p71

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:66
    Полный текст:34
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020