|
Квантовая электроника, 1973, номер 3(15), страницы 51–56
(Mi qe5117)
|
|
|
|
Влияние профиля коэффициента усиления на динамику лазера
В. С. Идиатулин, А. В. Успенский
Аннотация:
Показано, что неоднородность распределения инверсной населенности в плоскости, перпендикулярной оси кристалла, может привести к появлению дополнительных «динамических» потерь, т. е. к самомодуляции добротности в квантовом генераторе с одним типом колебаний. В результате этого в квантовом генераторе возникает пульсирующий режим. Получена область существования такого режима в зависимости от параметра
перевозбуждения генератора и степени неоднородности накачки.
Полный текст:
PDF файл (1025 kB)
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1973, 3:3, 208–210
Тип публикации:
Статья
УДК:
621.373.8:535
PACS:
42.60.Jf, 42.60.Lh, 42.60.Gd, 42.55.Ah Поступила в редакцию: 03.07.1972
Образец цитирования:
В. С. Идиатулин, А. В. Успенский, “Влияние профиля коэффициента усиления на динамику лазера”, Квантовая электроника, 3 (1973), 51–56 [Sov J Quantum Electron, 3:3 (1973), 208–210]
Образцы ссылок на эту страницу:
http://mi.mathnet.ru/qe5117 http://mi.mathnet.ru/rus/qe/y1973/i3/p51
Citing articles on Google Scholar:
Russian citations,
English citations
Related articles on Google Scholar:
Russian articles,
English articles
|
Просмотров: |
Эта страница: | 57 | Полный текст: | 48 |
|