RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1973, номер 3(15), страницы 51–56 (Mi qe5117)  

Влияние профиля коэффициента усиления на динамику лазера

В. С. Идиатулин, А. В. Успенский


Аннотация: Показано, что неоднородность распределения инверсной населенности в плоскости, перпендикулярной оси кристалла, может привести к появлению дополнительных «динамических» потерь, т. е. к самомодуляции добротности в квантовом генераторе с одним типом колебаний. В результате этого в квантовом генераторе возникает пульсирующий режим. Получена область существования такого режима в зависимости от параметра перевозбуждения генератора и степени неоднородности накачки.

Полный текст: PDF файл (1025 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1973, 3:3, 208–210

Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.8:535
PACS: 42.60.Jf, 42.60.Lh, 42.60.Gd, 42.55.Ah
Поступила в редакцию: 03.07.1972

Образец цитирования: В. С. Идиатулин, А. В. Успенский, “Влияние профиля коэффициента усиления на динамику лазера”, Квантовая электроника, 3 (1973), 51–56 [Sov J Quantum Electron, 3:3 (1973), 208–210]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe5117
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/y1973/i3/p51

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:57
    Полный текст:48
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021