RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 5, страницы 1066–1069 (Mi qe5131)  

Краткие сообщения

Свойства световодов с нелинейностью на границе

В. В. Лиханский, Б. П. Рысев


Аннотация: Рассмотрено распространение ТМ-волн в полосковых световодах с тонким поверхностным слоем нелинейного вещества. Для двух типов нелинейности найдены решения в виде уединенных волн, распространяющихся вдоль световода и имеющих поперечную структуру линейных мод. Показана также возможность обращения волнового фронта в таких многомодовых световодах при вынужденном рассеянии света в нелинейном слое.

Полный текст: PDF файл (686 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:5, 718–720

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 621.372:621.315.61
PACS: 42.65.Wi, 42.65.Tg, 42.70.Mp
Поступила в редакцию: 04.02.1983
Исправленный вариант: 27.07.1983

Образец цитирования: В. В. Лиханский, Б. П. Рысев, “Свойства световодов с нелинейностью на границе”, Квантовая электроника, 11:5 (1984), 1066–1069 [Sov J Quantum Electron, 14:5 (1984), 718–720]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe5131
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v11/i5/p1066

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:64
    Полный текст:34
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020