RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 6, страницы 1245–1250 (Mi qe5217)  

Исследование фотодиссоциативного лазера с высоким КПД в режиме свободной генерации

О. Б. Данилов, А. П. Жевлаков, С. А. Тульский, И. Л. Ячнев


Аннотация: При накачке фотодиссоциативного йодного лазера излучением ксеноновой лампы, работающей в режиме z-пинча, получен КПД ~1,8%. Рассмотрены причины энергетических потерь.

Полный текст: PDF файл (1078 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:6, 786–790

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 42.55.Hq, 32.80.Fb
Поступила в редакцию: 07.08.1981

Образец цитирования: О. Б. Данилов, А. П. Жевлаков, С. А. Тульский, И. Л. Ячнев, “Исследование фотодиссоциативного лазера с высоким КПД в режиме свободной генерации”, Квантовая электроника, 9:6 (1982), 1245–1250 [Sov J Quantum Electron, 12:6 (1982), 786–790]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe5217
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v9/i6/p1245

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:69
    Полный текст:49
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021