RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1973, номер 4(16), страницы 123–125 (Mi qe5523)  

Краткие сообщения

Импульсная генерация на переходах с резонансного на метастибильный уровень в парах бария

А. А. Исаев, М. А. Казарян, Г. Г. Петраш


Аннотация: При импульсном разряде в парах бария наблюдалась генерация в видимой и инфракрасной областях спектра при частотах повторения импульсов до 15 кгц. Генерация в видимой области происходила на переходах с резонансного на метастабильный уровень в Ba II и наблюдалась впервые. Средняя мощность генерации в инфракрасной области спектра составляла 0,4 вт.

Полный текст: PDF файл (570 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1974, 3:4, 358–359

Тип публикации: Статья
УДК: 624.378.325
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Jf, 42.65.Re, 32.80.Rm
Поступила в редакцию: 10.05.1973

Образец цитирования: А. А. Исаев, М. А. Казарян, Г. Г. Петраш, “Импульсная генерация на переходах с резонансного на метастибильный уровень в парах бария”, Квантовая электроника, 4 (1973), 123–125 [Sov J Quantum Electron, 3:4 (1974), 358–359]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe5523
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/y1973/i4/p123

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:45
    Полный текст:35
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020