Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 9, страницы 1750–1756 (Mi qe6107)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Об эффективности XeF-лазера с оптической накачкой

В. С. Зуев, Л. Д. Михеев, Д. Б. Ставровский

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Экспериментально исследованы характеристики фотодиссоционного лазера, работающего на переходах B–X (353 нм) и C–A (485 нм) эксимера XeF. Накачка лазера осуществлялась ВУФ излучением открытого сильноточного разряда. Энергия в импульсе генерации и средний удельный энергосъем достигали: на 353 нм – 28 Дж и 18 Дж/л, на 485 нм – 14,5 Дж и 10 Дж/л. Измерялся мгновенный КПД генерации, определяемый как отношение мощности генерации к электрической мощности, вкладываемой в источник накачки. В максимуме импульса генерации КПД достигал 0,8 % на 353 нм и 1 % на 485 нм (с поправкой на геометрический фактор использования излучения источника накачки) .Установлено, что эффективность источника накачки составляет 7,5–8,5% и средний по полосе накачки квантовый выход образования ХеF(В) равен 85 ± 5 %. Обсуждены пути увеличения КПД лазера до ~2%.

Полный текст: PDF файл (1260 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:9, 1174–1178

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 42.55.Lt, 42.60.By, 42.60.Lh
Поступила в редакцию: 13.02.1984

Образец цитирования: В. С. Зуев, Л. Д. Михеев, Д. Б. Ставровский, “Об эффективности XeF-лазера с оптической накачкой”, Квантовая электроника, 11:9 (1984), 1750–1756 [Sov J Quantum Electron, 14:9 (1984), 1174–1178]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe6107
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v11/i9/p1750

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Mikheev L.D. Tcheremiskine V.I. Uteza O.P. Sentis M.L., Prog. Quantum Electron., 36:1, SI (2012), 98–142  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:82
    Полный текст:55
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021